Elpida Memory ha annunciato lo sviluppo dei primi chip di memoria mobile a 4 gigabit per smartphone, tablet PC e altri dispositivi tascabili. La nuova DRAM rispetta lo standard Wide IO, che richiede un'interfaccia a 1200 pin, 512 dei quali dedicati al collegamento con il System on Chip. Questo prodotto raggiunge i 12,8 GB/s, cioè è quattro volte più veloce rispetto alle attuali LPDDR2. Tale velocità è pari a quella di un singolo canale delle DDR3-1600 (PC-12800).
Se confrontata con un'ipotetica LPDDR2 di pari velocità , la nuova DRAM è in grado di consumare il 50% in meno. La conseguenza è che avremo non solo dispositivi mobile più veloci nelle gestioni delle varie operazioni, dalla navigazione nel sistema operativo ai giochi, ma capaci di richiedere il giusto quantitativo di energia, preservando l'autonomia.
La memoria è stata realizzata con processo produttivo a 30 nanometri. I primi sample saranno distribuiti a dicembre, mentre la produzione in volumi inizierà nel 2012. Elpida ha inoltre intenzione di avviare da marzo del prossimo anno la distribuzione di chip da 16 gigabit (quattro layer). Per questo l'azienda ha deciso di avvalersi della tecnologia Through Silicon Via (TSV), che consente d'impilare più chip verticalmente per ottenere una densità di memoria maggiore.
La DRAM di 16 gigabit sarà ottenuta con quattro chip da 4 gigabit. Rispetto all'attuale metodo PoP (Package on Package), la DRAM da 16 gigabit dovrebbe essere meno spessa e più piccola. Un package di memoria attuale è alto 1,4 millimetri, mentre una soluzione TSV arriva a 1 millimetro.