L'anno scorso all'Intel Developer Forum si parlava già di "post DDR4", nonostante le DDR4 memorie non fossero ancora molto diffuse. Da allora - comprensibilmente - non ci sono state più notizie in merito. Le DDR5, nome plausibile del prossimo standard DRAM, sono però vive e vegete e lo sviluppo procede.
Stando a quanto emerso all'IDF di quest'anno, le specifiche della memoria DDR5 arriveranno nei prossimi mesi e il debutto sul mercato è previsto per il 2020. Le nuove soluzioni dovrebbero diversi benefici ai consumatori, tra cui maggiori capacità - grazie a una densità più alta - e una velocità superiore. Anche i consumi dovrebbero scendere, a vantaggio dei portatili di prossima generazione.
Queste caratteristiche permetteranno di supportare ancora meglio le nuove esperienze di computing, prima fra tutte la realtà virtuale, che necessitano di ingenti risorse per essere gestite al meglio. I server saranno i primi a godere dell'arrivo delle DDR5, che poi dovrebbero farsi largo in ambito desktop e notebook dopo circa 12-18 mesi.
Secondo Mike Howard, analista dell'azienda IHS, la memoria DRAM tradizionale dovrebbe sopravvivere ancora a lungo perché le nuove tecnologie di memoria PCM (phase-change memory), RRAM (resistive RAM), o MRAM (magnetoresistive RAM) candidate a sostituirla sono ancora in sviluppo e generalmente più costose, senza contare che lo standard DDR è noto, mentre il passaggio a una soluzione nuova è più difficile da digerire per l'intero ecosistema industriale.
Nei prossimi anni soluzioni come la 3D XPoint di Micron e Intel - usabile per gli SSD, come memoria di sistema e non solo - troveranno il loro spazio, ma per diverso tempo dovrebbero rimanere in ambiti di nicchia. L'analista ritiene che le DDR5 vivranno fino al 2025, riuscendo a scalare grazie all'uso di processi produttivi più avanzati.
In attesa di avere specifiche tecniche condivise dall'industria, è bene ricordare che Samsung ha già stilato una bozza di quelle che potrebbero essere le DDR5. Secondo il colosso sudcoreano le nuove memorie dovranno garantire un data rate fino a 6,4 Gb/s per pin, con la possibilità di ulteriori incrementi. Se l'interfaccia dei moduli dovesse rimanere a 64 bit, si parla di un bandwidth fino a 51,2 GB/s, doppio rispetto alle soluzioni da 3,2 Gbps attuali.
Per quanto concerne le capacità, Samsung ritiene che vi sarà un incremento della densità dalle soluzioni da 8 gigabit odierne fino a ben 32 gigabit, e questo favorirà la creazione di singoli moduli capaci di offrire capienze molto elevate per archiviare i dati temporanei. In tutto questo giocherà un ruolo fondamentale il processo produttivo usato per realizzare i chip, e a tal proposito Samsung parla di processi sotto i 10 nanometri.
L'azienda asiatica punta inoltre a rimuovere alcuni dei limiti che attualmente caratterizzano le DDR4, come l'uso di non più di due moduli per canale o la limitata quantità di dispositivi di memoria impilabili in ogni chip. Le "DDR5", secondo Samsung, potrebbero integrare interfacce ottiche e usare un packaing 2.5D o 3D.