IBM ha svelato all'ISSCC la tecnologia di memoria on-chip "eDRAM" (embedded dynamic random access memory). Progettata per sostituire l'attuale SRAM che compone la cache del processore, permette di aumentare drasticamente le prestazioni della memoria integrata, occupando un terzo dello spazio e consumando un quinto in standby rispetto alla memoria SRAM (static random access memory).
Le specifiche della memoria eDRAM sono le seguenti:
- cell size: 0.126 mm2
- Power supply: 1 V
- availability: 98.7%
- Tile: 1K RowX16 Col X146 (2Mb)
- AC power: 76 mW
- standby keep alive Power: 42 mW
- Random cycle time: 2ns
- Latency: 1.5ns
L'uso del prodotto come base della cache di un processore avverà presumibilmente con la produzione a 45 nanometri: data la forte partnership tra AMD e IBM, ci aspettiamo di vederne l'adozione anche da parte del colosso texano.