Intel presenterà i primi sample della nuova tecnologia di memoria "phase-change" entro la prima metà di quest'anno, mentre la produzione di massa è prevista per la fine del 2007. La tecnologia PRAM è un'alternativa alle memorie NOR flash e si basa su due aspetti principali che la rendono molto interessanti: la velocità delle memorie DRAM combinata alle caratteristiche di immagazzinamento dei dati senza corrente delle memorie flash.
Questo tipo di memoria può presentarsi con dimensioni ridotte rispetto a una flash, il che la rende ideale per aumentare la densità di memoria in uno spazio ridotto. I sample che Intel consegnerà ai suoi partner avranno una densità di 128 Mbit e potranno supportare i 100 milioni di cicli in lettura e scrittura, per una durata dei dati di oltre 10 anni. Da segnalare la presenza nel progetto di STMicroelectronics, società per azioni italo-francese.
IBM e altre aziende rivali hanno già annunciato di essere anch'esse impegnate sulla strada percorsa da Intel.
Questo tipo di memoria è particolarmente indicata per PDA e dispositiviportatili, ma tutto lascia intendere che potrebbe trovare applicazioneanche nei sistemi computer.