AMD, IBM e Toshiba hanno realizzato la cella di memoria SRAM più piccola al mondo (static random access memory). Questo traguardo permetterà ai tre produttori di chip di realizzare processori con un quantitativo di cache maggiore, senza che la CPU debba essere troppo grande e diventare costosa da produrre.
La cella SRAM realizzata dai tre giganti dell'IT ha un'area di soli 0.128μm² e fa uso di FinFETs (fin-shaped Field Effect Transistors), transistor ad effetto di campo ad aletta. La cella è stata realizzata con processo produttivo a 22 nanometri e materiali HKMG. Una cella a 32 nanometri, ad esempio quella realizzata da Intel, ha un'area di 0.171μm².
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