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Samsung ha avviato la produzione in volumi della prima memoria prodotta con processo nella classe dei 10 nanometri, dicitura che denota una soluzione realizzata con processo tra 10 e 19 nanometri. Si tratta, per la precisione, di un chip DDR4 con densità di 8 gigabit. L'azienda sudcoreana fa sapere di essersi affidata alla litografia a immersione ArF (argon fluoride), senza rivolgersi a quella EUV (extreme ultra violet).
Secondo Samsung i nuovi chip di memoria migliorano di oltre il 30% la "produttività" dei wafer rispetto alle soluzioni analoghe realizzate con un processo nella classe dei 20 nanometri. La nuova DRAM supporta un transfer rate dei dati di 3200 megabit al secondo (Mbps), maggiore dei 2400 Mbps garantiti dalle DDR4 prodotte sinora. "I nuovi moduli consumano inoltre dal 10% al 20% di energia in meno", aggiunge l'azienda.
"Diversamente dalla memoria NAND flash, in cui una singola cella consiste solo di un transistor, ogni cella DRAM richiede un condensatore e un transistor collegati tra loro, di solito con il condensatore sopra la zona in cui c'è il transistor. Nel caso della DRAM nella classe dei 10 nanometri è presente un altro livello di difficoltà, in quanto bisogna impilare al di sopra di poche dozzine di transistor dei condensatori di forma cilindrica in modo compatto tra loro per memorizzare cariche elettriche elevate, creando più di 8 miliardi di celle", si legge in una nota.
Samsung ha realizzato la struttura delle celle sfruttando un progetto proprietario e la litografia quadruple patterning. Inoltre l'uso di un layer dielettrico migliorato ha garantito ulteriori miglioramenti prestazionali. L'azienda asiatica ha intenzione di presentare nuove memorie con maggiore densità e velocità nel corso dell'anno, coprendo tanto il settore smartphone quanto l'ambito PC e server.
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