HP continua a studiare il memristore, un elemento che tra non molti anni potrebbe affacciarsi sul mercato delle memorie per sostituire DRAM e soluzioni NAND Flash. Teorizzato nel 1971 dal professor Leon Chua dell'Università della California, il memristore è il quarto elemento base dei circuiti - gli altri tre sono le resistenze, i condensatori e gli induttori. Nel 2008 HP ha dimostrato che Leon Chua aveva ragione e che il memristore esisteva davvero.
Oggi i ricercatori di HP, insieme a quelli dell'UC di Santa Barbara, sono riusciti a mappare la chimica di base e le strutture interne al memristore durante l'operatività elettrica. Fino a questo momento gli scienziati non erano ancora riusciti a vedere che cosa accade esattamente all'interno della struttura.
HP è riuscita a individuare un canale - 100 nanometri - usando raggi X altamente focalizzati per osservare dove avviene lo switching della resistenza, fondamentale per compiere operazioni digitali. Secondo Stan Williams, senior fellow di HP, questa scoperta permetterà di migliorare ampiamente le prestazioni della tecnologia.
Il memristore può quindi essere una memoria non volatile - dal nome commerciale Resistive Random Access Memory (ReRAM) - ma anche qualcosa di più grazie alla capacità di compiere operazioni logiche, permettendo ai chip di effettuare calcoli senza che debbano rivolgersi ad altre soluzioni (come la CPU).
Per realizzare i primi memristori commerciali HP si è alleata con Hynix. L'obiettivo è realizzare ReRAM sfruttando i processi di produzione usati per le memorie Flash. I primi prodotti potrebbero essere pronti per il 2013.
Al momento HP ha realizzato sample con una densità di archiviazione di 12 GByte per centimetro quadrato. Secondo l'ingegnere Stan Williams usando un progetto a più livelli e un processo produttivo a 15 nanometri, dove quattro strati di celle di memoria sono stati impilati uno sopra l'altro.