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Micron lancia i velocissimi moduli HBM4 a 11 Gbps

Micron conferma la spedizione ai clienti delle memorie HBM4 DRAM da 11 Gbps e annuncia la partnership con TSMC per le future HBM4E di nuova generazione.

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Avatar di Antonello Buzzi

a cura di Antonello Buzzi

Senior Editor

Pubblicato il 24/09/2025 alle 16:59

La notizia in un minuto

  • Micron annuncia l'inizio delle spedizioni dei primi campioni di memoria HBM4 con velocità record di 11 Gbps e larghezza di banda oltre 2,8 TB/s, posizionandosi come leader nel mercato delle memorie per intelligenza artificiale
  • L'azienda ha siglato una partnership strategica con TSMC per lo sviluppo delle memorie HBM4E di nuova generazione, previste per il lancio commerciale nel 2027
  • Micron è diventata l'unico fornitore di memorie LPDDR nel segmento data center grazie alla collaborazione con NVIDIA e sta puntando sulle GDDR7 che promettono di superare i 40 Gbps
Riassunto generato con l'IA. Potrebbe non essere accurato.

L'industria delle memorie ad alta velocità sta vivendo una fase di accelerazione senza precedenti, con Micron che rivendica il primato tecnologico nel segmento HBM grazie ai suoi ultimi sviluppi. Durante la presentazione dei risultati finanziari per il quarto trimestre e l'anno fiscale 2025, l'azienda americana ha annunciato di aver iniziato le spedizioni dei primi campioni della sua memoria HBM4 con velocità di 11 Gbps, posizionandosi come leader nel mercato delle memorie destinate all'intelligenza artificiale e al calcolo ad alte prestazioni. I numeri finanziari dell'azienda riflettono questa crescita: i ricavi sono passati da 25,11 miliardi di dollari a 37,38 miliardi su base annua, testimoniando la forte domanda del settore.

La sfida dell'HBM4: velocità record e partnership strategiche

La nuova soluzione HBM4 12-Hi di Micron promette prestazioni che l'azienda definisce superiori a qualsiasi concorrente attualmente sul mercato. Con una larghezza di banda che supera i 2,8 TB/s e velocità oltre gli 11 Gbps, questa memoria rappresenta un salto qualitativo significativo per applicazioni che richiedono enormi quantità di dati processati in tempo reale. Il CEO Sanjay Mehrotra ha sottolineato come la quota di mercato HBM dell'azienda sia destinata a crescere ulteriormente, allineandosi alla loro quota complessiva nel mercato DRAM durante il terzo trimestre dell'anno civile.

La strategia di Micron per il futuro si articola attraverso una partnership inedita con TSMC per lo sviluppo delle memorie HBM4E di prossima generazione. Diversamente dalle HBM4 attuali, che utilizzano interamente tecnologie proprietarie per il die di base CMOS avanzato, le HBM4E vedranno la collaborazione con il gigante taiwanese per la produzione del die logico di base. Questa alleanza interesserà sia le varianti standard che quelle personalizzate, con Micron che prevede il lancio commerciale per il 2027.

Oltre l'HBM: l'ecosistema delle memorie ad alte prestazioni

L'espansione di Micron nel mercato delle memorie server ha trovato un alleato prezioso in NVIDIA, con cui l'azienda ha sviluppato l'adozione delle memorie LPDDR per i server. Da quando NVIDIA ha lanciato le LPDDR nella sua famiglia di prodotti GB, Micron è rimasta l'unico fornitore di questo tipo di memoria nel settore dei data center. Questa esclusiva rappresenta un vantaggio competitivo significativo in un momento in cui l'efficienza energetica diventa cruciale per i grandi operatori cloud.

Micron è diventata l'unico fornitore di LPDDR nel segmento data center

Sul fronte delle memorie grafiche, l'azienda sta puntando forte sulle GDDR7, tecnologia che promette di superare i 40 Gbps nelle future iterazioni. Attualmente, NVIDIA rappresenta l'unico produttore di GPU che implementa questa tecnologia, ma le specifiche tecniche suggeriscono un miglioramento del 25% rispetto ai 32 Gbps inizialmente annunciati da Micron. Mehrotra ha evidenziato come queste memorie siano progettate per offrire prestazioni ultra-rapide mantenendo la migliore efficienza energetica della categoria.

Innovazione produttiva e prospettive future

I progressi tecnologici di Micron si estendono anche ai processi produttivi, con il nodo DRAM 1γ che ha raggiunto rendimenti maturi in tempi record, risultando il 50% più veloce rispetto alla generazione precedente. Parallelamente, la rampa produttiva del nodo G9 NAND procede secondo i piani, coprendo sia le soluzioni TLC che QLC per la memoria flash. L'azienda rivendica inoltre il primato nel mercato degli SSD PCIe Gen6 per data center, consolidando la propria posizione di innovatore tecnologico.

La base clienti per le memorie HBM si è ampliata fino a includere sei clienti, con accordi di prezzo già definiti per la quasi totalità della fornitura HBM3E del 2026. Le discussioni sono attivamente in corso per definire specifiche e volumi delle HBM4, con Micron che si aspetta di concludere accordi per vendere il resto della fornitura HBM totale del 2026 nei prossimi mesi. La personalizzazione del die logico di base per le HBM4E richiederà una stretta collaborazione con i clienti, ma dovrebbe garantire margini lordi più elevati rispetto ai prodotti HBM4E standard.

Fonte dell'articolo: wccftech.com

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