Memorie

Per aumentare il prezzo delle DRAM nel 2021 basta solo un’interruzione di corrente

Come ben sappiamo, la produzione di semiconduttori è un’operazione piuttosto delicata, che si basa su un delicato equilibrio di materiali, fabbricazione quasi infinita, pulizia e test di qualità. La realizzazione di wafer può richiedere mesi tra le fasi iniziali di fabbricazione fino al processo di confezionamento finale e questo significa che le interruzioni di corrente o la contaminazione del materiale possono mettere a rischio un numero eccessivo di prodotti.

Micron

A quanto pare, come riportato dai colleghi di DigiTimes, e ripreso successivamente da TechPowerUp, questo equilibrio è stato spezzato in uno degli stabilimenti di Micron, a Taiwan, il quale è stato colpito da un’interruzione di corrente di un’ora. Sebbene apparentemente un fatto del genere non dovrebbe destare preoccupazione, in questo caso potrebbe potenzialmente influire sul 10% dell’intera fornitura di DRAM prevista per i prossimi mesi.

Considerando l’aumento della domanda di componenti DRAM a causa della pandemia COVID-19 e della domanda associata di prodotti che necessitano di DRAM come PC Desktop, laptop e tablet, gli operatori del settore si aspettano ora un aumento dei prezzi per tutto il 2021 fino al termine dei problemi di fornitura.

Micron

Al momento non sappiamo se il danno potrà essere recuperato e, magari, evitare che ci sia davvero un aumento dei prezzi, ma, così come accaduto in passato, è molto probabile che i produttori, messi alle strette, richiederanno più denaro per fornire agli utenti finali le loro preziose memorie.

Qualche settimana fa, Micron aveva annunciato di essere entrata in fase di produzione di massa delle sue nuove memorie 3D NAND con tecnologia a 176 strati. I primi prodotti SSD Crucial che sfruttano i nuovi chip sono già in lavorazione e ne verranno annunciati di nuovi durante il corso del 2021. Le nuove memorie 3D NAND a 176 strati di Micron rappresentano un enorme salto in avanti rispetto alla generazione di prodotti precedenti basati sulla tecnologia a 128 strati, con una latenza in scrittura e lettura ridotta del 25%.

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