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Pronti i primi esemplari di memoria HBM3E

I nuovi moduli di memoria HBM3E offrono prestazioni ancora maggiori saranno pronti per le applicazioni IA e HPC

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Avatar di Valerio Porcu

a cura di Valerio Porcu

Senior Editor @Tom's Hardware Italia

Pubblicato il 22/08/2023 alle 18:00
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SK Hynix ha dichiarato di aver terminato lo sviluppo dei suoi primi moduli di memoria HBM3E e di averne ora fornito alcuni campioni ai propri clienti. I nuovi stack di memoria hanno una velocità di trasferimento dati di 9 GT/s, che supera di ben il 40% gli stack HBM3 dell'azienda.

SK Hynix intende produrre in massa i suoi nuovi stack di memoria HBM3E nella prima metà del prossimo anno. Tuttavia, l'azienda non ha mai rivelato la capacità dei moduli (né se utilizzano l'architettura 12-Hi o 8-Hi) o quando esattamente li renderà disponibili. Secondo TrendForce, però, SK Hynix è sulla buona strada per realizzare prodotti HBM3E da 24 GB nel primo trimestre del 2024 e per seguire con offerte HBM3E da 36 GB nel primo trimestre del 2025.

Se le informazioni di TrendForce sono corrette, i nuovi moduli HBM3E di SK Hynix arriveranno giusto in tempo quando il mercato ne avrà bisogno. Ad esempio, Nvidia inizierà le spedizioni della sua piattaforma Grace Hopper GH200 con 141 GB di memoria HBM3E per applicazioni di intelligenza artificiale e calcolo ad alte prestazioni, nel secondo trimestre del 2024. Questo non significa che il prodotto Nvidia utilizzerà la HBM3E di SK Hynix, ma la produzione di massa di HBM3E nella prima metà del 2024 rafforza la posizione di SK Hynix come fornitore leader di memoria HBM in termini di volume.

Tuttavia, non sarà in grado di conquistare la corona delle prestazioni. I nuovi moduli di SK Hynix offrono una velocità di trasferimento dati di 9 GT/s, un po' più lenta dei 9,2 GT/s di Micron. Mentre i moduli HBM3 Gen2 di Micron promettono una larghezza di banda fino a 1,2 TB/s per stack, quelli di SK Hynix raggiungono un picco di 1,15 TB/s.

SK Hynix non rivela la capacità dei suoi stack HBM3E, ma afferma che essi utilizzano la sua tecnologia Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-RUF). Questo approccio riduce lo spazio tra i dispositivi di memoria all'interno di uno stack HBM, accelerando la dissipazione del calore del 10% e consentendo di stipare una configurazione HBM a 12 Hi nella stessa altezza z di un modulo HBM a 8 Hi.

Uno degli aspetti più interessanti della produzione di massa di memoria HBM3E nella prima metà del 2024 da parte di Micron e SK Hynix è che questo nuovo standard non è ancora stato formalmente pubblicato da JEDEC. Forse la domanda di memorie con larghezza di banda maggiore da parte delle applicazioni AI e HPC è così elevata che le aziende stanno in qualche modo affrettando la produzione di massa per soddisfarla.

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