Samsung Electronics ha annunciato l'inizio della produzione di massa di moduli DRAM con tecnologia a 60 nanometri. I moduli da 1 Gigabit DDR2 possono raggiungere velocità di 667/800 Mbps e verranno utilizzati nei moduli di memoria da 512 MB, 1 GB e 2 GB.
Samsung ha dichiarato che il nuovo processo permetterà di raggiungere il 40% di efficienza in più rispetto alla tecnologia a 80 nanometri. La maggiore efficienza sarà utile soprattutto in fase produttiva, in quanto preziosi wafer non verranno sprecati.
Il mercato totale in volumi delle DRAM da 60 nm toccherà i 2.3 miliardi di dollari nel 2007, per raggiungere i 32 miliardi nel 2009, a detta di Samsung.