Samsung dichiara di aver completato lo sviluppo del primo dispositivo di memoria DDR2 512 Mbit con processo produttivo 70 nm - il più piccolo applicato finora nello sviluppo delle DRAM. Secondo Samsung, la nuova tecnologia a 70 nm mantiene la continuità con i processi 80 e 90 nm, con rese produttive che dovrebbero essere maggiori "La resa per wafer sarà migliore del 100% rispetto a quella ottenuta con tecnologia 90nm,". I 70 nm sono attesi nei prodotti a partire dalla seconda metà del 2006 con densità 512 Mbit, 1 Gbit e 2 Gbit.
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