Samsung Electronics ha intenzione di produrre memoria NAND Flash a 10 nanometri e per questo ha iniziato la costruzione di una nuova linea di produzione in Cina, nella cittadina di Xi'an. L'obiettivo di Samsung China Semiconductor è quello di essere completamente operativa nel 2014 grazie a un investimento iniziale di 2,3 miliardi di dollari.
Complessivamente l'azienda spenderà 7 miliardi di dollari nel polo di Xi'an, mettendo a segno il suo più grande investimento nello stato asiatico. La scelta del luogo in cui far sorgere uno stabilimento produttivo tanto avanzato non è casuale. Xi'an è il centro di sviluppo di avanzate tecnologie, in quanto sede di 37 università e 3000 centri di ricerca e sviluppo focalizzati sulle tecnologie IT.
Una volta a regime Samsung punta a produrre 10.000 wafer da 300 millimetri ogni mese e rinformare la sua posizione di leadership nel mercato globale delle NAND Flash, dove i dati del primo trimestre dell'anno redatti da IHS iSuppli dicono detenga il 37,4 percento, seguita da Toshiba e Micron (quest'ultima, per lanciare la sfida, ha acquisito la giapponese Elpida).
Per i consumatori invece si tratta di un'ottima notizia, perché fissa un interessante obiettivo per l'evoluzione delle memorie NAND Flash, il che vuol dire non solo maggiori velocità e minori consumi, ma anche capacità in crescita e rapporto prezzo/GB più vantaggioso. Questo vale sia gli SSD che per tutti i prodotti che integrano questi chip di memoria, dagli smartphone ai tablet, fino alle chiavette USB.
Oggi si producono principalmente memorie a 25/19 nanometri e i costi sono in costante discesa. Nei dispositivi che hanno bisogno di centinaia di gigabyte o qualche terabyte di spazio di archiviazione, la migliore soluzione in base al rapporto tra il prezzo e la capacità rimangono gli hard disk. I chip NAND Flash a 10 nanometri dovrebbero cambiare radicalmente questo stato di cose, rosicchiando ulteriore mercato ai "vecchi" piatti magnetici.
