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Samsung accelera sulla HBM4: sfida aperta con SK hynix

Samsung presenta al pubblico i suoi moduli di memoria HBM4, dimostrando di essere pronta per la nuova generazione di tecnologia ad alte prestazioni.

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Avatar di Antonello Buzzi

a cura di Antonello Buzzi

Senior Editor @Tom's Hardware Italia

Pubblicato il 22/10/2025 alle 16:40
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a cura di Antonello Buzzi

Senior Editor @Tom's Hardware Italia

Pubblicato il 22/10/2025 alle 16:40

La notizia in un minuto

  • Samsung presenta i suoi moduli HBM4 al SEDEX 2025 con un rendimento del 90% per il die logico, segnando la preparazione alla produzione di massa dopo aver perso terreno negli anni precedenti
  • La strategia competitiva si basa su velocità di trasmissione dati superiori (circa 11 Gbps), capacità produttive maggiori e prezzi competitivi per conquistare clienti chiave come NVIDIA
  • La domanda senza precedenti di memorie HBM alimentata dall'esplosione delle applicazioni di intelligenza artificiale intensifica la competizione con SK Hynix e Micron nel settore DRAM ad alte prestazioni

Riassunto generato con l’IA. Potrebbe non essere accurato.

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La corsa verso la nuova generazione di memorie ad alte prestazioni si fa sempre più intensa, con i colossi coreani pronti a sfidarsi sul campo della tecnologia HBM4. Samsung ha recentemente mostrato al pubblico i suoi moduli HBM4 durante il Semiconductor Exhibition (SEDEX) 2025, segnando un momento cruciale per il gigante tecnologico che punta a riconquistare la leadership in un segmento dove aveva perso terreno negli ultimi anni. La posta in gioco è altissima, considerando che queste memorie rappresentano un componente fondamentale per lo sviluppo delle applicazioni di intelligenza artificiale.

Secondo quanto riportato da DigiTimes, l'azienda sudcoreana avrebbe raggiunto un rendimento del 90% per il die logico dei suoi moduli HBM4, un risultato che apre concretamente la strada alla produzione di massa. Si tratta di un traguardo significativo che dimostra come Samsung stia evitando gli errori del passato, quando aveva perso la sua posizione dominante nel settore DRAM proprio a causa di ritardi e problemi produttivi. Questa volta, il gruppo coreano sembra determinato a non farsi trovare impreparato di fronte alla concorrenza.

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La strategia di Samsung per conquistare i clienti più importanti, come NVIDIA, si basa su tre pilastri fondamentali. Il primo riguarda la velocità di trasmissione dati, con i moduli HBM4 che raggiungerebbero circa 11 Gbps, superando le performance promesse dai rivali SK hynix e Micron. Il secondo elemento è rappresentato dalle capacità produttive superiori che l'azienda intende offrire, mentre il terzo punta su una politica di prezzi competitivi per facilitare l'adozione dei suoi prodotti.

La domanda di memorie HBM ha superato ogni previsione

Nonostante questi progressi impressionanti, Samsung non ha ancora ottenuto l'approvazione di NVIDIA per la fornitura di moduli HBM4. Questo rappresenta un obiettivo cruciale per il produttore coreano, considerando che il colosso americano è uno dei principali acquirenti di memorie ad alte prestazioni per le sue soluzioni dedicate all'intelligenza artificiale. Tuttavia, l'ottimismo all'interno dell'azienda rimane alto, grazie ai risultati tecnici raggiunti e all'assenza di ritardi previsti nella tabella di marcia produttiva.

La competizione nel settore non coinvolge solo Samsung. Anche SK Hynix ha presentato i propri moduli HBM4 durante lo stesso evento fieristico, frutto di una collaborazione con TSMC. Questa presenza dimostra come il mercato delle memorie DRAM stia vivendo una fase di trasformazione radicale, con una competizione destinata a intensificarsi nei prossimi mesi. 

Il contesto attuale vede una domanda senza precedenti per questo tipo di componenti, alimentata dall'esplosione delle applicazioni di AI e dal machine learning. I produttori coreani stanno quindi investendo massicciamente per aumentare le capacità produttive e migliorare le performance tecniche, consapevoli che il futuro del computing ad alte prestazioni dipenderà in larga misura dalla disponibilità di memorie sempre più veloci ed efficienti.

Fonte dell'articolo: wccftech.com

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