I nuovi chip di memoria figurano inoltre migliori prestazioni in scrittura e lettura, registrando una crescita rispettivamente del 30% e del 25% rispetto alla generazione precedente. L'ampiezza del bus è stata raddoppiata, ed è ora di 64 KB. Inoltre, grazie a una nuova architettura con isolatori a gate multipli, la velocità di I/O raggiunge i 1200 Mbps a 1,2V.
SK Hynix giustifica l'uso del nome 4D NAND con l'impiego della tecnologia CTF (Charge Trap Flash) anziché Floating Gate. L'azienda usa anche la tecnologia Periphery Under Cell (PUC), dove il circuito logico del chip è posizionato al di sotto delle celle flash. È una soluzione simile a quella usata da altre realtà: due esempi sono la CMOS Under the Array (CuA) di Micron o la Core Over Periphery di Samsung.
"Questa 4D NAND a 96 layer basata su CTF diventerà una pietra miliare del business dell'azienda, e sarà usata come base per lo sviluppo delle future memorie. Faremo partire la prima fase della produzione di massa già entro quest'anno e in seguito espanderemo la produzione nell'impianto M15 per rispondere attivamente alla richiesta di diversi clienti", ha dichiarato J.T. Kim, vicepresidente di SK Hynix e responsabile marketing del reparto NAND.
SK Hynix ha parlato anche dei propri piani per il futuro. L'azienda ha intenzione di usare la nuova memoria per portare sul mercato nuovi SSD da 1 TB (previsti già per quest'anno) che useranno firmware e controller proprietari. Entro fine 2019 vedremo inoltre SSD per il settore enterprise, mentre le memorie UFS 3.0 per il mercato mobile arriveranno nella prima metà del 2019. Attesi inoltre nuovi SSD triple-level cell (TLC) e quad-level cell (QLC) basata su chip da 1 terabit e 96 layer.
