Toshiba ha iniziato la produzione in volumi di memoria NAND flash a 24 nanometri. L'azienda realizzerà chip da 64 gigabit (2 bit per cella), con capacità di 8 gigabyte. Prossimamente Toshiba intende produrre, sempre a 24 nanometri, chip di memoria da 32 gigabit (3 bit per cella). I chip integrano la tecnologia Toggle DDR che migliora la velocità di trasferimento dati.
L'avanzamento produttivo introdotto della casa giapponese dovrebbe essere un toccasana per diversi settori in cui la memoria NAND Flash è protagonista (smartphone, videocamere digitali, tablet PC). Ricordiamo che Intel sta lavorando su memorie flash (3 bit per cella, 64 Gb) a 25 nanometri (Intel, pronti i chip di memoria 3bpc e 25nm da 8 GB), mentre Samsung ha recentemente presentato dei chip NAND di tipo MLC da 32 gigabit realizzati con processo produttivo a 20 nanometri (Samsung, ecco le schede SD con chip a 20nm).