TSMC, colosso taiwanese della produzione per conto terzi, sarà pronta a produrre con processo a 10 nanometri il prossimo anno. Un anno più tardi passerà ai 7 nanometri. L'azienda ha dichiarato di aver fatto buono progressi e finora i processi stanno rispettando la roadmap prefissa. Entrambi sono basati sulla tecnologia dei transistor 3D FinFET.
La fonderia sta già lavorando con alcuni clienti nella progettazione di chip a 10 nanometri che andranno in produzione nella seconda metà del 2016. Se l'azienda dovesse confermare queste date si tratterebbe di una roadmap piuttosto ambiziosa, in quanto Intel non dovrebbe passare ai 10 nanometri prima dell'inizio del 2017, e l'azienda statunitense solitamente fa da capofila quanto a innovazione nel settore produttivo.
A oggi solo Samsung e Intel producono a 14 nanometri e proprio TSMC prevede di realizzare chip a 16 nanometri FinFET in volumi elevati solo dal terzo trimestre. L'azienda taiwanese è incappata in problemi più gravi del previsto e questo ha portato alcune aziende - tra cui Qualcomm - a rivolgersi a Samsung per la produzione. Anche Nvidia avrebbe fatto la stessa scelta.
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Mark Liu, amministratore delegato di TSMC, ha dichiarato che lo sviluppo del processo produttivo a 7 nanometri è iniziato l'anno passato e ha sottolineato come la risoluzione dei problemi avuti in questi mesi faciliterà il lavoro sulle tecnologie future. Samsung, Globalfoundries e Intel ovviamente non rimarranno a guardare e questo sarà solo un bene per l'innovazione.
