Samsung Electronics scommette sulle LPDDR3 (Low Power DDR3) da 3 GB per smartphone e tablet. L'azienda sudcoreana ha infatti annunciato l'avvio della produzione di massa di questo tipo di memoria (2133 Mbps per pin) a basso consumo e alta densità. Per realizzarla Samsung si è affidata a un processo produttivo nelle classe dei 20 nanometri (quindi tra 20 e 30 nm), grazie al quale ha potuto impilare due insiemi di tre chip da 4 gigabit (512 MB) per ottenere un singolo package alto 0,8 millimetri.
Lo spessore di questi moduli è importante perché come tutti gli altri componenti presenti sul circuito stampato impatta direttamente sul design di prodotti altamente integrati come smartphone e tablet. Inoltre, e questo non è un particolare da sottovalutare, più i componenti si fanno sottili e piccini, maggiore è lo spazio per integrare una batteria più capiente.
Secondo Young-Hyun Jun, vicepresidente esecutivo della divisione memory sales & marketing, inizieremo a vedere smartphone di fascia alta con 3 GB di memoria già quest'anno, ma nel 2014 la maggior parte dei prodotti di un certo livello adotterà questo nuova soluzione DRAM. Ovviamente il manager non ha svelato su quali prodotti vedremo 3 GB di memoria, ma nelle precedenti settimane si facevano i nomi del Galaxy Note III e dell'LG Optimus G2 (nella versione LTE-Advanced).
"Svilupperemo una nuova soluzione LPDDR3 da 3 GB basata su quattro chip DRAM da 6 Gbit, impilando simmetricamente due chip su ogni lato, e questo permetterà di portare le prestazioni degli smartphone a un nuovo livello entro la fine dell'anno", ha aggiunto il dirigente. Samsung sottolinea come l'architettura simmetrica permetta di avere un flusso dati costante tra SoC e memoria (due canali collegati a un insieme di 1.5 GB), massimizzando le prestazioni e avvicinandole a quelle di un vero computer.
Ricordiamo che l'azienda aveva già iniziato a lavorare sulla LPDDR3 nei mesi precedenti, avviando la produzione di massa sul finire di aprile. Il colosso asiatico non è l'unico a realizzare questo tipo di memoria: è di giugno l'annuncio di SK Hynix, la quale ha fatto sapere di essere impegnata nella produzione di LPDDR3 da 8 gigabit (1 GB) - impilabili in un package da 4 GB - sempre grazie a un processo nella classe dei 20 nanometri.