I processori diventeranno sempre più potenti ed efficienti con il processo produttivo a 22 nanometri. Durante la conferenza d'apertura dell'IDF di San Francisco, il CEO di Intel Paul Otellini ha mostrato un wafer formato da chip SRAM a 22 nanometri, con 364 milioni di bit di memoria SRAM e oltre 2,9 miliardi di transistor, basati sulla terza generazione della tecnologia high-k plus metal gate.
Paul Otellini stringe un wafer di silicio con SRAM a 22 nm
Ogni cella SRAM ha una dimensione di 0,092 micron quadrati per SRAM ad alta densità e 0,108 micron quadrati per applicazioni a basso voltaggio. "In Intel, la Legge di Moore è ancora valida e in pieno sviluppo", ha affermato Otellini. "Abbiamo avviato la produzione del primo processore a 32 nm, che rappresenta anche il primo processore a elevate prestazioni con la grafica integrata nella CPU. Allo stesso tempo, stiamo già ottenendo progressi significativi con lo sviluppo della tecnologia di produzione a 22 nm, realizzando chip funzionanti che prepareranno il terreno per la produzione di processori ancora più potenti e evoluti".
Il nome in codice dato da Intel al processo di produzione delle CPU è P1270; P1271 è il processo produttivo che sarà usato per la produzione di processori SoC (system-on-chip), inclusi le CPU Atom di prossima generazione. Il "12" implica wafer di dimensioni di 12 pollici; gli strumenti attuali non permettono a Intel, nel breve termine, di passare a una dimensione maggiore per la produzione di wafer.