Non ci saranno solo il Cell a 6 GHz e il processore a 80 core di Intel all'ISSCC di febbraio, ma anche Samsung. L'azienda coreana renderà pubblici alcuni dettagli riguardanti i moduli GDDR4 da 512 Mb prodotti con processo produttivo a 80 nm.
Intel: il chip con 80 core verso i 4 GHz
Il Cell pronto al salto a 65 nanometri
Le novità principale dovrebbe riguardare la frequenza di lavoro, ora pari a 2 GHz. Attualmente in commercio troviamo queste memorie sulla Radeon X1950 XTX, ma con frequenza solamente pari a 1 GHz.
I moduli di memoria oggigiorno disponibili possono raggiungere una velocità di 1.4 GHz, per cui il salto in avanti fatto da Samsung è notevole. Tuttavia c'è da considerare che un modulo con frequenza massima di 2 GHz non si attende in tempi tanto brevi: come ricordato pocanzi attualmente ci aggiriamo attorno al Gigahertz e la prossima generazione di schede grafiche non dovrebbe eccedere questo valore eccessivamente.