L'hard disk del futuro è italiano: efficienza da record

Un gruppo di ricercatori italiani ha messo a punto un nuovo meccanismo che minimizza i consumi delle memorie magnetiche.

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a cura di Manolo De Agostini

Cnr, Elettra Sincrotrone Trieste e Politecnico di Milano hanno condotto un esperimento - illustrato su Nature Communications - sulle memorie magnetiche che potrebbe spianare la strada "a una nuova generazione di dispositivi super efficienti, con un consumo energetico che potrebbe ridursi di oltre mille volte rispetto a quello consentito dalle tecnologie attuali".

Elettra Sincrotrone Trieste: veduta interna di camera sperimentale per la produzione dei campioni

"L'immagazzinamento dell'informazione nei sistemi di memoria, come i dischi rigidi dei computer", spiega Piero Torelli, fisico dell'Istituto officina dei materiali del Cnr di Trieste e fra gli autori del documento, "viene ancor oggi effettuata tramite un piccolo elettromagnete che magnetizza la superficie del disco: un processo lungo, energeticamente costoso e che non permette elevata miniaturizzazione. Indurre questa magnetizzazione attraverso un campo elettrico darebbe enormi vantaggi, permettendo di superare le attuali limitazioni, diminuendo il consumo energetico di un fattore mille e realizzando uno dei sogni della comunità scientifica e di chi cerca nuove soluzioni tecnologiche per l’elettronica moderna".

Con questo esperimento il gruppo di ricerca ha ottenuto proprio un sistema in cui la magnetizzazione può essere spenta o accesa in risposta all'applicazione di un campo elettrico, in modo reversibile e a temperatura ambiente. "Il sistema che abbiamo studiato - continua Torelli - è costituito da due strati di materiale facilmente reperibile e poco costoso: uno di ferro e uno di ossido di bario e di titanio, che una volta sovrapposti reagiscono formando un sottilissimo ossido di ferro nella zona di interfaccia. Sottoponendo il campione a un'analisi spettroscopica con la luce di sincrotrone di Elettra siamo riusciti a seguire le proprietà di ciascuno strato, verificando come il grado di magnetizzazione all'interfaccia variasse in base al campo elettrico applicato sullo strato di ossido, in modo controllabile e reversibile".

Piero Torelli tiene in mano il campione analizzato

Il successo dell'esperimento conferma che l'abbinamento di materiali con proprietà ferroelettriche e ferromagnetiche in strati contigui rappresenta una via promettente verso il controllo elettrico della magnetizzazione e apre la strada a una nuova generazione di dispositivi di memoria. Un'elettronica moderna capace di riunire i vantaggi della ferroelettricità (basso costo di scrittura delle informazioni) e quelli del magnetismo (durata dell'informazione immagazzinata).