Floating Gate vs CTF
Una delle cose che abbiamo recentemente imparato da Micron è stata che la tecnologia flash charge trap (alla quale i principali produttori di NAND si stanno muovendo per la 3D NAND) presenta limitazioni di durata che sono legate al charge spreading, ossia nella diffusione della carica. Micron ha affermato che la tecnologia Floating Gate non è così suscettibile di una rapida perdita della carica e che CTF aumenta in complessità nello scaling della 3D NAND.
Crooke di Intel ha dichiarato che la tecnologia floating gate rappresenta la base delle NAND da 20 anni, e IMFT conosce la fisica molto bene. Le 3D NAND hanno permesso a IMFT di fare un passo indietro e aumentare la densità attraverso il vertical stacking. Questo ha consentito di creare floating gate più grandi.
D'altra parte, la tecnologia charge trap soffre di dispersione alle densità più alte. Le celle non sono così discretamente isolate come lo sono con floating gate, quindi CTF è suscettibile di dispersione di carica e interferenza tra le celle.
Intel è in grado di risolvere le sfide più difficili, ha affermato Crooke, quindi è rimasta fedele al floating gate. La 3D NAND dell'azienda sarà la prima 3D MLC NAND a 256 bit, e la memoria TLC estenderà la densità a 384 Gb.
QLC (Four-Bit MLC)
Il quad-level cell rappresenta la naturale progressione per incrementare la densità di una NAND, e questa tecnologia dovrebbe dimostrarsi molto efficiente se usata in tandem con il caching 3D XPoint in un'implementazione ibrida. 3D XPoint potrebbe essere una cache super veloce per un'archiviazione dati SSD QLC ad altissima durata – e a basso costo.
Abbiamo chiesto a Crooke se Intel stesse sviluppando questo tipo d'implementazione ci ha detto "sì", prima di aggiungere che tutti nell'industria ci stanno pensando e stanno facendo delle ricerche in merito.
TLC 3D NAND
Samsung sta lavorando su SSD datacenter dotati di memoria 3D V-NAND di tipo TLC. Infatti, i nuovi SSD enterprise dell'azienda usano quella memoria. Ryan Smith, Director of NAND Marketing di Samsung Semiconductor, ha affermato che la memoria TLC è un'applicazione "killer" per la 3D NAND, tanto che Samsung ritiene prenderà piede in ogni segmento.
Crooke non ha preannunciato nulla, certo, ma ha dichiarato che Intel ha qualcosa di entusiasmante riguardo i prodotti 3D NAND in arrivo. Recentemente abbiamo scoperto che Intel ha in cantiere la serie DC P3520, una soluzione con controller NVMe dotata di 3D NAND a 32 layer di IMFT.