Samsung è sempre in prima linea quando si parla di produzione di memoria. Le DDR4 non fanno eccezione. L'azienda ha annunciato di aver avviato la produzione in volumi di chip da 8 gigabit con processo produttivo a 20 nanometri.
Questi chip saranno usati per realizzare un modulo di memoria RDIMM da 32 GB da destinare al settore enterprise. Il transfer rate per pin del nuovo modulo raggiunge fino a 2400 megabit al secondo, circa il 29% in più rispetto al bandwidth di 1866 Mbps di un modulo server DDR3. Oltre ai moduli da 32 GB, i nuovi chip da 8 gigabit permetteranno la produzione di moduli per server con una capacità massima di 128 GB attraverso la tecnologia 3D through silicon via (TSV), andando a così a colmare le esigenze sempre più elevate del settore server.
Con questo nuovo annuncio Samsung può ora dire di avere una gamma di DRAM a 20 nanometri davvero completa che include anche soluzioni DDR3 da 4 gigabit e LPDDR3 da 6 gigabit per dispositivi mobile.
