Gli SSD con memoria Flash potrebbero cedere il passo in un futuro non tanto lontano alle ReRAM (Resistive random-access memory). Secondo Stan Williams, senior fellow di HP, l'azienda avrà pronti memristori entro diciotto mesi, un tipo di memoria non volatile in sviluppo da diversi anni.
La data è tuttavia da prendere con le pinze, in quanto potrebbero sopraggiungere cambiamenti, sia per intoppi tecnici sia per decisioni di business. L'obiettivo è comunque quello di completare i lavori nel 2013, forse in estate.
L'idea di HP e Hynix, partner in questa avventura, non è solo sostituire la memoria Flash, ma anche la DRAM. Secondo Williams i memristori possono assicurare miglioramenti di due ordini di grandezza nella commutazione energetica per bit rispetto alla DRAM. "Abbiamo centinaia di wafer in produzione negli impianti. Siamo più avanti di quello che pensavamo". "Nel 2014 o nel 2015 avremo un avversario per le DRAM e poi rimpiazzeremo le SRAM".
Durante lo sviluppo e l'analisi del memristore, HP è arrivata a scoprire molte cose interessanti - non per altro possiede oltre 500 brevetti. Con questo tipo di prodotto si potranno realizzare memorie che non perderanno dati in assenza di energia, non avranno bisogno di essere avviate, e capaci di consumare pochissimo.
Lo scorso anno l'azienda ha scoperto che il memristore è capace di associare le informazioni in maniera simile a ciò che avviene nel cervello umano, grazie alla possibilità di eseguire operazioni logiche. Perciò i campi di applicazione della tecnologia sono ampi, in quanto un chip può funzionare non solo come soluzione di archiviazione, ma anche come processore.
Questo potrebbe portare, secondo Williams, a realizzare CPU dotate di core con 2 GB di memoria non volatile ciascuno. "Così ci siamo assicurati altri 20 anni di Legge di Moore", ha dichiarato l'ingegnere. Le specifiche di queste ReRAM sono impressionanti: si parla di tempi di lettura sotto i 10 nanosecondi, mentre i tempi di scrittura/cancellazione si aggirano sui 0,1 nanosecondi. Per quanto concerne la durata, i primi dati raccolti indicano 10^12 cicli e una capacità di conservare i dati di diversi anni.
HP e Hynix non sono le sole a sviluppare le ReRAM. Anche Samsung sta lavorando alacremente, e secondo HP ha un team ben più numeroso al lavoro su questa tecnologia. Sarà interessante vedere chi arriverà prima e soprattutto se le ReRAM troveranno spazio sul mercato.
Tutti vogliono fare le scarpe alla memorie attuali (pensate anche alle HMC), Flash o DRAM che siano, ma bisognerà scontrarsi con un particolare di non poco conto: i costi. E questi ancora non sono noti, anche se HP ritiene che saranno più bassi poiché si potranno usare materiali già impiegati nella produzione odierna.