Micron ha annunciato di aver dato il via alla produzione di massa delle prime memorie LPDDR4X usando il nuovo processo produttivo nella classe dei 10 nm (tra 10 e 19 nm) di seconda generazione. I nuovi dispositivi hanno una capacità di 12 Gb, raggiungono velocità di trasferimento fino a 4266 Mbps e consumano meno dei precedenti modelli LPDDR4.
Dal momento che si tratta del primo modulo DRAM prodotto con la seconda generazione del processo 1Y-nm, è lecito aspettarsi ulteriori prodotti con frequenze maggiori e consumi minori rispetto a quelli attuali. Secondo Micron, i nuovi chip consumano il 10% in meno rispetto alle LPDDR4-4266 prodotte finora. Questo risultato è stato reso possibile grazie a una riduzione del 45% dell’output driver voltage (I/O VDDQ), che passa da 1,1 V a 0,6 V.
Le LPDDR4X di Micron offrono, come detto, una densità di 12 Gb (1,5 GB), che risulta leggermente inferiore a quella delle soluzioni dei concorrenti, solitamente intorno ai 16 Gb (2 GB). La soluzione dell'azienda è però più economica da produrre e questo comporta la possibilità da parte di Micron di vendere package LPDDR4X-4266 a 64 bit con quattro die, per 48 Gb (6 GB) di capacità e 34,1 GB/s di banda a un prezzo inferiore rispetto alle altre aziende.
Dal momento che Micron, così come altri produttori, tende a non annunciare un nuovo prodotto fino a quando non ha spedito almeno la prima partita, è lecito pensare che almeno un cliente dell'azienda sia già in possesso delle nuove DRAM LPDDR4X.
