La tecnologia continua ad avanzare, mettendo a dura prova la nota legge di Moore, la quale afferma che il numero di transistor per chip raddoppia ogni 18 mesi, quadruplicando quindi ogni tre anni. In particolare, l’arrivo della tecnologia EUV (Extreme Ultra Violet), oltre ad altri miglioramenti tecnici, consentiranno di ridurre ulteriormente le dimensioni dei transistor, inserendone un maggior quantitativo all’interno della stessa area.

IBM ha annunciato oggi, come riportato dai colleghi di Anandtech, di aver realizzato il primo chip per nodi di produzione a 2nm del mondo. A detta della compagnia, il passaggio ai 2nm consentirà di migliorare le prestazioni del 45% a parità di potenza, o consumare il 75% di energia a parità di prestazioni, rispetto agli attuali processori a 7nm. Sarà possibile stipare “50 miliardi di transistor su un chip delle dimensioni di un’unghia” (facendo riferimento ad un’area di 150mm²), quindi con una densità di 333 milioni per mm², sebbene questo valore sia presumibilmente quello di picco.

Stando alle informazioni diffuse da IBM, il chip utilizza un design GAA a triplo stack che impiega un’altezza della cella di 75nm, una larghezza della cella di 40nm, i singoli nanosheet misurano 5nm in altezza e sono separati da 5nm. Il gate poly pitch è di 44nm, mentre la lunghezza dei gate è di 12nm. IBM ha affermato che si tratta del primo design a usare bottom dieletric isolation channel, il quale permette di ottenere gate lunghi 12nm, e che i suoi distanziatori interni sono realizzati con un processo che aiuta la creazione di nanosheet.

Al momento non sono stati forniti ulteriori dettagli inerenti ai chip test da 2nm, anche se molto probabilmente in questa fase preliminare sono state utilizzate SRAM semplificate con un po’ di circuiti logici. Il chip è stato realizzato e progettato presso la struttura di ricerca IBM di Albany, il cui scopo è ampliare il nutrito numero di brevetti della compagnia per le collaborazioni con i suoi vari partner.

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