Intel Alder Lake, nuovi dettagli sulle RAM DDR5-4800

La dodicesima generazione di processori Intel, nome in codice Alder Lake, sarà la prima piattaforma di CPU mainstream a utilizzare le nuove memoria DDR5. Il produttore di chip (come riportato dal noto leaker momomo_us) ha pubblicato un nuovo documento dove vengono elencati i diversi moduli di memoria DDR5-4800 che sono stati convalidati. I test sono stati effettuati da Advanced Validation Labs, Inc (AVL), azienda si è concentrata specificamente sulle memorie DDR5-4800, che costituiscono lo standard di base per Alder Lake. Si tratta di moduli di memoria non ECC che si attengono alle linee guida JEDEC, tra cui una tensione DRAM di 1,1 V e timing di 40-39-39.

AVL ha testato i moduli di grandi produttori, come SK hynix, Samsung, Micron, Crucial e Kingston. Sebbene la velocità dei dati rimanga la stessa per tutti, le capacità variano da 8 a 32 GB per modulo di memoria. Secondo il documento Intel, i produttori di DRAM inizieranno con chip RAM DDR5 da 16Gb. Una delle novità introdotte dalle DDR5 è la regolazione della tensione a bordo, che si ottiene dotando il modulo di memoria di un circuito integrato di gestione dell'alimentazione (PMIC). Per quanto riguarda i moduli di memoria DDR5 iniziali, essi sfrutteranno un PMIC di Renesas. Il documento non specificava il modello esatto del PMIC, ma probabilmente si tratterà del P8911, versione ottimizzata del P8900 che Renesas ha progettato per le memorie del server.

SK hynix, Samsung e Micron sono produttori di circuiti integrati, quindi naturalmente utilizzeranno i propri IC nelle loro memorie DDR5. Kingston, d'altra parte, utilizzerà SK hynix per i suoi IC e Crucial, che è il marchio consumer di Micron, utilizzerà gli IC di quest'ultimo. Se guardiamo agli IC, sembrerebbe che SK hynix e Micron porteranno i loro rispettivi M-die e A-Die su DDR5. Questi scalano abbastanza bene con tensioni più elevate, ma non sono esattamente riconosciuti per funzionare con timing bassi. È qui che i circuiti integrati B-die di Samsung eccellevano ai tempi delle DDR4. Il documento conferma che i circuiti integrati DDR5 di Samsung sono Revision B, quindi dovrebbero essere B-die. Se le DDR5 B-die saranno simili alle precedenti DDR4 B-die, probabilmente diventeranno di nuovo i circuiti integrati preferiti per gli overclocker.

Apparentemente, le aziende rimarranno su un design single-rank, 1Rx16 per 8GB e 1Rx8 per 16GB. Per fare un confronto, all'inizio le DDR4 da 16GB erano una garanzia per il dual-rank. Alla fine, molti produttori sono passati a un design single-rank grazie all'introduzione di chip a densità più elevata. Con DDR5, tuttavia, i moduli di memoria da 32GB sono l’unica variante sicura per un layout dual-rank (2Rx8). Ricordiamo che le memorie dual-rank sono in genere più veloci delle relative controparti single-rank, anche se non in tutti i carichi di lavoro. Sia i processori Intel Core che i processori Ryzen di AMD beneficiano delle memoria dual-rank e i test hanno dimostrato che quattro rank di memoria sono la configurazione ideale per le massime prestazioni. Resta da vedere se lo stesso si verificherà anche con Alder Lake.