Si discuteva da tempo sul fatto che la legge di Moore non fosse più effettivamente valida, ma pare che Intel abbia da poco smentito queste ipotesi attraverso una nuova roadmap mostrata all'evento dell'IEDM (International Electron Devices Meeting), che svela i piani futuri per chip con un miliardo di miliardi di transistor entro il 2030. Come specificato nel comunicato stampa emesso dall'azienda, l'obiettivo è il raggiungimento di una densità fino a 10 volte maggiore rispetto alle CPU attuali, attraverso l'utilizzo di un materiale dello spessore di soli 3 atomi, che rimpicciolisce in maniera ulteriore i transistor.
La roadmap di Intel è stata svelata in concomitanza del 75° anniversario dell'invenzione del transistor e mostra quello che verrà dopo la tecnologia FinFET, introdotta con il nodo a 22nm, con cui ormai 10 anni fa avevano debuttato i processori Ivy Bridge e che uscirà di scena con il processo produttivo Intel 3, che verrà utilizzato nelle prossime architetture. Il nuovo transistor Gate All Around verrà implementato a partire dal futuro nodo 20A e, attraverso l'utilizzo di nuovi materiali, consentirà di aumentare il numero di transistor sulle CPU. Verranno anche svelate ulteriori tecnologie per il packaging, tra cui EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge) e Foveros, con cui verranno realizzate le CPU Meteor Lake e Arrow Lake.
Le novità riguardano soprattutto l'efficienza energetica e l'introduzione di nuove componenti per la realizzazione di memorie ad alte prestazioni. L'azienda è attualmente al lavoro sulla prima memoria che può essere posizionata sopra i transistor e che fa uso di condensatori ferroelettrici impilati, che possono essere utilizzati per la costruzione di FeRAM (Ferromagnetic RAM) su un die logico. Gli sviluppi comprendono anche dei transitor in grado di mantenere dati in assenza di alimentazione, oltre che nuovi e più efficienti wafer GaN (Nitruro di Gallio) e miglioramenti al calcolo e all'archiviazione quantistica.