Micron e Sun hanno annunciato di aver collaborato per sviluppare una nuova tecnologia di memoria single-level cell NAND enterprise che sarà in grado di aumentare la durata dei dispositivi di archiviazione flash indirizzati alle imprese. I risultati della collaborazione hanno permesso la realizzazione di dispositivi capaci di raggiungere il milione di cicli in scrittura, dieci volte in più rispetto alle memorie SLC NAND convenzionali.
Micron, attualmente, sta lavorando su NAND Enterprise con densità fino a 32Gb e la produzione in volumi è attesa nel primo timestre 2009. Micron, inoltre, ha intenzione di introdurre versioni SLC e multi-level cell (MLC) enterprise realizzate a 34 nm il prossimo anno.
Per Sun non si tratta della prima collaborazione nel settore degli SSD. Pochi mesi fa, infatti, l'azienda ha annunciato un'analoga partnership con Samsung.