Novità per le memorie NAND ad alta velocità

Nuove memorie NAND ad alta velocità in grado di raggiungere throughput di 200MB/s in lettura e 100 MB/s in scrittura.

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a cura di Vincenzo Ciaglia

IM Flash Technologies, la joint venture nata dalla collaborazione tra Intel e Micron nel 2005, ha appena annunciato una nuova linea di chip NAND flash, che sarebbe in grado di migliorare di ben cinque volte le velocità di lettura e scrittura delle memorie flash convenzionali.

I nuovi chip saranno basati sull'interfaccia flash Open NAND (ONFI) 2.0, e potranno raggiungere i 200MB/s in lettura, e 100 MB/s in scrittura.

Se le velocità previste fossero effettivamente rispettate, le nuove memorie NAND potrebbero rappresentare la vera alternativa agli hard disk SSD. Basti pensare che quelli utilizzati dall'Asus EeePC e dal MacBook Air raggiungono una velocità di trasferimento compresa fra i 50 e i 75 MB/s. I progettisti hanno dichiarato che le nuove memorie NAND flash saranno ben quattro volte più performanti rispetto ai normali SSD.