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Recensione SSD Samsung 850 EVO 4TB

Pagina 1: Recensione SSD Samsung 850 EVO 4TB

SSD Samsung 850 EVO 4TB

Il Samsung 850 EVO da 4TB è l'SSD consumer attualmente più capiente in circolazione.

SSD Samsung 850 EVO 4TB

Introduzione

L'SSD Samsung 850 EVO è tra i prodotti di archiviazione che hanno venduto più di tutti e ha dimostrato che le soluzioni a 3 bit per cella (TLC) possono competere con successo con i prodotti basati su memoria MLC nel mercato mainstream. La memoria V-NAND TLC di Samsung è superiore alla MLC di altri produttori sia per prestazioni che durata. L'azienda ha fatto costanti aggiornamenti per aumentare la densità, al fine di ridurre i costi di produzione e consentire a SSD più capienti di raggiungere il mercato a prezzi migliori.

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Samsung ha usato la propria memoria 3D V-NAND di terza generazione per raggiungere i 4 terabyte. La nuova V-NAND da 48 layer di Samsung raddoppia la capacità con 256 Gbit su un singolo die. La configurazione dei 4TB è quasi identica all'850 EVO da 2 TB che ha 8 package NAND con 16 die a testa. Nell'immagine vediamo che la V-NAND con 48 layer è fisicamente più grande di quella con 32 layer.

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Immagine di Techinsights

Ci sarebbe piaciuto che il nuovo 850 EVO da 4 TB rimpiazzasse il modello da 2 TB a 600 euro, ma non è possibile. Con questo prodotto Samsung vuole recuperare un po' di costi di ricerca e sviluppo. L'850 EVO da 4TB non è il primo SSD a raggiungere questa capacità.

Altre aziende hanno raggiunto questa capacità in passato, come SanDisk con l'Optimus Max. Quei prodotti però erano progettati per carichi enterprise e troppo costosi per l'utenza consumer. Di contro l'850 EVO è il primo prodotto da 4 TB ad arrivare sul mercato e a soddisfare le promesse insite nella V-NAND tramite una maggiore capacità e alte prestazioni.

Specifiche tecniche

In origine la famiglia Samsung 850 EVO era disponibile in quattro capacità da 120 GB a 1 TB. In seguito l'azienda ha presentato un modello da 2 TB. Molti 850 EVO sono cambiati dalla loro introduzione. Gli SSD più capienti sono passati dalla memoria V-NAND di seconda a quella di terza generazione. Il nuovo firmware sui modelli con V-NAND di terza generazione ha incrementato leggermente le prestazioni ma non a livelli tali da portare gli utenti finali a riscontrare una chiara differenza.

Gli SSD raggiungono velocità elevate tramite la lettura e scrittura di più di un die simultaneamente, quindi ogni SSD è come un mini RAID con dati diffusi sui package. L'aumentata densità dei 48 layer significa che solo metà del numero di die NAND è necessaria per raggiungere ogni livello di capacità, e questo può peggiore le prestazioni. Samsung, tuttavia, ha aggiornato i prodotti con un sufficiente interleaving per mantenere o incrementare le prestazioni, non ha cambiato gli SSD 850 EVO meno capienti.

Il Samsung 850 EVO 4TB ha le stesse specifiche prestazionali degli altri prodotti ad alta capacità. Questo modello offre 540 MB/s in lettura sequenziale e 520 MB/s in scrittura sequenziale e fino a 98.000 IOPS in lettura casuale e 90.000 IOPS in scrittura casuale. Samsung è una delle poche aziende che indica prestazioni casuali con QD1 – come potete vedere in tabella. Sulla carta, la nuova soluzione da 4 TB fornisce le stesse prestazioni delle precedenti unità ad alta capacità, anche se abbiamo riscontrato prestazioni di poco superiori nei nostri test sintetici.

  850 EVO 4 TB 850 EVO 2 TB 850 EVO 1 TB 850 EVO 500 GB 850 EVO 250 GB 850 EVO 120 GB
Form factor 2,5 pollici 2,5 pollici 2,5 pollici 2,5 pollici 2,5 pollici 2,5 pollici
Interfaccia SATA 6 Gbps SATA 6 Gbps SATA 6 Gbps SATA 6 Gbps SATA 6 Gbps SATA 6 Gbps
Controller Samsung MHX Samsung MHX Samsung MEX Samsung MGX Samsung MGX Samsung MGX
DRAM 4 GB LPDDR3 2 GB LPDDR3 1 GB LPDDR3 512 MB LPDDR2 512 MB LPDDR2 512 MB LPDDR2
Memoria Samsung 3rd Gen V-NAND Samsung 2rd Gen V-NAND Samsung 2rd Gen V-NAND Samsung 2rd Gen V-NAND Samsung 2rd Gen V-NAND Samsung 2rd Gen V-NAND
Lettura seq. 540 MB/s 540 MB/s 540 MB/s 540 MB/s 540 MB/s 540 MB/s
Scrittura seq. 520 MB/s 520 MB/s 520 MB/s 520 MB/s 520 MB/s 520 MB/s
Lettura cas. (QD1) 10.000 IOPS 10.000 IOPS 10.000 IOPS 10.000 IOPS 10.000 IOPS 10.000 IOPS
Lettura cas. (QD32) 98.000 IOPS 98.000 IOPS 98.000 IOPS 98.000 IOPS 98.000 IOPS 94.000 IOPS
Scrittura cas. (QD1) 40.000 IOPS 40.000 IOPS 40.000 IOPS 40.000 IOPS 40.000 IOPS 38.000 IOPS
Scrittura cas. (QD32) 90.000 IOPS 90.000 IOPS 90.000 IOPS 90.000 IOPS 90.000 IOPS 88.000 IOPS
Consumo attivo Lettura 3,1 watt, scrittura 3,6 watt Lettura 3,7 watt, scrittura 4,7 watt Lettura 3,7 watt, scrittura 4,4 watt Lettura 3,7 watt, scrittura 4,4 watt Lettura 3,7 watt, scrittura 4,4 watt Lettura 3,7 watt, scrittura 4,4 watt
Consumo DEVSLP 10 mW 5 mW 2mW 3rd Gen V-NAND
4mW 2nd Gen V-NAND
2 mW 2 mW 2 mW
Durata 300 TBW 300 TBW 150 TBW 150 TBW 750 TBW 75 TBW
Garanzia 5 anni 5 anni 5 anni 5 anni 5 anni 5 anni

Non mancano anche le altre caratteristiche. La serie 850 EVO supporta ancora la codifica dati tramite TCG Opal e Microsoft eDrive, e TurboWrite è presente. Il modello da 4 TB dispone di un'enorme riserva di 96 GiB: l'SSD ne usa metà per scrivere dati rapidamente sulla NAND programmata come spazio SLC, al fine di aumentare le prestazioni. 48 GB sono sufficienti per trasferire un'intera ISO Blu-Ray direttamente nel buffer SLC.

L'overprovisioning (OP), che è l'area lasciata come riserva, è un argomento su cui spesso sorvoliamo. Il Samsung 850 EVO da 4 TB mette da parte 96 GiB per operazioni interne come wear leveling e garbage collection. L'area di scorta è maggiore di qualsiasi altro SSD consumer provato a oggi.

Di solito Samsung presenta nuove capacità a coppie, con un nuovo modello per l'850 EVO e un altro per l'850 Pro. Avrete notato che questa non è una recensione di due prodotti: non sappiamo se un 850 Pro da 4 TB arriverà sul mercato, ma date le prestazioni dell'850 EVO pensiamo che Samsung non ne abbia bisogno.

Samsung ha fatto passare gli SSD da 1 e 2 TB alla memoria V-NAND a 32 a 48 layer, e questo ci dà la possibilità di confrontarne i consumi. In tabella indichiamo il consumo DevSlp della NAND a 32 layer a 4 mW, ma con la nuova flash a 48 layer e 256 Gbit il dato scende a 2 mW. Il consumo scende sui modelli con 48 layer, ma le prestazioni non cambiano.

Prezzo, garanzia e accessori

Il Samsung 850 EVO da 4 TB si può rintracciare al momento a 1350 euro, è coperto da 5 anni di garanzia come gli altri prodotti della serie ma è anche limitato agli stessi 300 terabytes written (TBW) dei modelli da 2TB e 1TB, cosa che potrebbe preoccupare i possibili acquirenti.

Samsung usa il rating TBW, che è una misura di quanti dati un SSD può salvare, per scopi di garanzia. I test indipendenti mostrano che la V-NAND di Samsung sopravvive ben oltre il periodo di garanzia TBW, ma pochi studi hanno usato le stringenti linee guida JEDEC per fare tali affermazioni e c'è più dei rating di durata dietro a quanti dati si possono scrivere nella memoria.

Essendo un prodotto retail il Samsung 850 EVO permette agli utenti di usare il software toolbox SSD Magician. Questa serie abilita anche Rapid Mode, un algoritmo cache DRAM che riduce le scritture di blocchi di piccole dimensioni verso l'unità per trasformare i dati casuali in grandi blocchi sequenziali. Questa tecnica aumenta le prestazioni e la durata. Samsung consegna ogni SSD EVO con del software che include anche un programma per la migrazione dati. Gli utenti possono comunque scaricarlo dal sito web dell'azienda.

Uno sguardo da vicino

Al di fuori dell'etichetta 4 TB e piccoli aggiornamenti alla confezione, la scatola dell'850 EVO non cambia. Il disco è consegnato insieme a un disco di software e manuali cartacei.

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Non c'è nulla di nuovo da vedere al di fuori dell'unità se avete familiarità con la serie 850 EVO. Tutte e sei le capacità sono visivamente identiche. L'etichetta sul retro del disco cambia per far sapere agli utenti la capacità e il codice PSID. Samsung offre gli 850 EVO anche in formato M.2 e mSATA, ma al momento solo il modello da 2,5 pollici arriva a 4TB.

All'interno

L'850 EVO 4TB usa lo stesso controller MHX che Samsung ha introdotto con il modello da 2 TB. Il controller modulare di Samsung ha permesso all'azienda di cambiare il controller di memoria all'interno del processore flash per aumentare la dimensione del buffer di memoria DRAM. Il Samsung 850 EVO da 4TB indirizza 4GB di LPDDR3 1600 MHz su un singolo package per immagazzinare in cache la tabella dati LBA (una mappa che dice dove il dato è fisicamente sull'unità).

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Samsung ha inserito 16 die NAND all'interno di ogni package da 512 GB e ci sono otto package suddivisi su ambedue i lati di 3/4 del circuito stampato. Samsung produce tutti i componenti principali e questo dà all'azienda accesso diretto alla linea di produzione.