Samsung ha annunciato che il prossimo anno porterà sul mercato un chip V-NAND con una densità di 1 terabit (128 GB). Si tratterà di memoria di tipo QLC, ossia capace di archiviare quattro bit per cella.
Impilando 16 die da 1 TB sarà possibile realizzare singoli package V-NAND da 2 terabyte, cosa che dovrebbe ulteriormente espandere la capacità degli SSD e contenere i costi. Per quanto riguarda le prestazioni Samsung ha indicato data rate fino a 1,2 Gb/s.
L'azienda sudcoreana ha anche svelato di aver realizzato i primi campioni di un NGSFF SSD da 16 terabyte. NGSFF è l'acronimo di Next Generation Small Form Factor, ma in codice Samsung parla anche di formato M.3. Il nuovo prodotto, pensato per favorire un drastico aumento di capacità e prestazioni casuali nei server rack 1U, si presenta con dimensioni di 30,5 x 110 x 4,38 mm.
Per illustrarne i vantaggi la casa sudcoreana ha mostrato un sistema di riferimento con 576TB di spazio di archiviazione in un rack 1U, usando 36 SSD NGSFF da 16 TB. Il sistema è riuscito a processare 10 milioni di IOPS in lettura casuale, triplicando prestazioni di un sistema con SSD da 2,5 pollici. Samsung ha intenzione di iniziare la produzione in volumi degli SSD NGSFF nel quarto trimestre dell'anno: in parallelo continuerà a lavorare con i partner industriali per standardizzare il form factor.
Un'altra novità degna di nota riguarda la tecnologia Z-SSD, antagonista della 3D XPoint di Micron e Intel. Dopo averla svelata lo scorso anno, Samsung ha presentato il suo primo Z-SSD denominato SZ985. Con una latenza ai minimi livelli e prestazioni molto elevate, questo prodotto (basato su una forma ottimizzata di memoria SLC) si rivolge ai datacenter e sistemi enterprise che hanno a che fare con operazioni estremamente complesse come l'analisi di Big Data in tempo reale e il caching ad alte prestazioni.
Samsung sta collaborando con diversi clienti per integrare il supporto agli Z-SSD sulle piattaforme più comuni. Per quanto riguarda l'SZ985, oltre a offrire 800 GB di capacità usabile, richiede solo 15 microsecondi di latenza in lettura, un settimo della latenza in lettura di un SSD NVMe.
"A livello applicazioni gli Z-SSD possono ridurre il tempo di risposta di un sistema fino a 12 volte rispetto agli SSD NVMe", aggiunge la casa sudcoreana. Samsung sta lavorando anche su una seconda generazione della Z-NAND con supporto a 2 bit per cella: con questa soluzione mira a ridurre i costi, anche se la latenza dovrebbe salire leggermente.
Infine, Samsung ha annunciato anche una tecnologia completamente nuova chiamata Key Value SSD. Il nome si riferisce a un nuovo metodo di processare set di dati complessi. "Con il drastico aumento nell'uso dei servizi di social media e applicazioni IoT, che contribuisce alla creazione di object data come testo, immagini, audio e video, la complessità nel processare questi dati aumenta sostanzialmente", spiega Samsung.
"Oggi gli SSD convertono gli object data di dimensioni molto variabili in frammenti di dati di dimensione specifica chiamati blocchi. L'uso di questi blocchi richiede processi di implementazione costituiti da passaggi LBA (indirizzamento a blocchi logici) e PBA (indirizzamento fisico di blocco)".
"Il nuovo Key Value SSD permette agli SSD di processare dati senza convertirli in blocchi. Invece assegna una "chiave" o una locazione specifica di ogni "valore" o pezzo di object data - indipendentemente dalla sua dimensione. La chiave permette l'indirizzamento diretto di una posizione di dati, che a sua volta consente di ridimensionare l'archiviazione. Di conseguenza quando un dato è letto o scritto, un Key Value SSD può ridurre i passaggi ridondanti, portando a prestazioni IOPS maggiori, oltre che ad aumentare il costo di possesso totale e la vita di un SSD".
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