Samsung, che per chi non lo sapesse è uno dei più grandi fornitori di memorie NAND al mondo, ha annunciato i piani di sviluppo per la sua V-NAND, conosciuta come: NAND 3D.
La società, infatti, ha confermato che è in procinto di produrre la sua V-NAND di nona generazione, con oltre 300 strati, nel 2024, prevedendo che avrà il maggior numero di strati attivi nel mercato.
Jung-Bae Lee, Presidente e Responsabile del settore Memory di Samsung Electronics, ha dichiarato che: "la nona generazione V-NAND è ben avviata per la produzione su larga scala all'inizio del prossimo anno, con il più alto numero di strati basato su una struttura a doppio stack".
Questo sviluppo segna un passo avanti significativo per il settore, in quanto questa V-NAND, di nona generazione con oltre 300 strati, consentirà all'azienda di aumentare la densità di memorizzazione dei suoi dispositivi NAND 3D, portando a una maggiore capacità di archiviazione e a delle prestazioni migliori.
Samsung sta anche investendo in tecnologie future, comprese quelle per migliorare la velocità di input/output (I/O) della V-NAND, la quale è essenziale per le prestazioni delle memorie.
Anche se non sono stati rivelati dettagli specifici sulle prestazioni della V-NAND di nona generazione, si prevede che verrà utilizzata nei futuri SSD dell'azienda, portando a una nuova generazione di dispositivi di archiviazione con prestazioni decisamente superiori.
Inoltre, Samsung è impegnata a sviluppare soluzioni di memoria altamente differenziate per servire settori come i data center e i PC. La società sta lavorando su innovazioni a lungo termine per ridurre le interferenze tra le celle, ridurre l'altezza e massimizzare il conteggio verticale degli strati.
L'obiettivo a lungo termine è quello di creare NAND 3D con oltre 1000 strati, offrendo soluzioni di memoria altamente avanzate e garantendo la rilevanza delle offerte di Samsung in un'ampia gamma di applicazioni.
In sintesi, Samsung sta facendo importanti progressi nello sviluppo della sua V-NAND di nona generazione con oltre 300 strati, puntando a migliorare la capacità di archiviazione e le prestazioni delle memorie NAND per soddisfare le crescenti esigenze del settore.
