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SSD da 16TB in arrivo? Samsung lavora alle NAND 430 layer per il 2025

Samsung ha svelato i piani di sviluppo delle sue memorie V-NAND di prossima generazione, che apriranno la strada a SSD ancor più capienti.

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Avatar di Marco Pedrani

a cura di Marco Pedrani

Caporedattore centrale @Tom's Hardware Italia

Pubblicato il 16/04/2024 alle 10:45
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Samsung ha annunciato l'imminente avvio della produzione della nona generazione di V-NAND: tutto dovrebbe partire entro questo mese, almeno stando a quanto riportato da un'inchiesta di Hankyung. La nuova generazione della memoria 3D NAND di Samsung sarà caratterizzata da 290 strati attivi, un modesto incremento rispetto ai 236 strati della generazione precedente. Tuttavia, questo sviluppo segna una significativa evoluzione di come queste memorie vengono prodotte. 

Le notizie sulla V-NAND di nona generazione da 290 strati sembrano contraddire i piani ufficiali di Samsung di introdurre una memoria 3D NAND con oltre 300 strati nel 2024. È possibile però che Samsung abbia deciso di ridurre il numero di strati attivi nella sua memoria V-NAND per incrementare la resa produttiva: migliorarla, anche se a discapito della densità, potrebbe essere una strategia efficace per Samsung per ridurre i costi di alcune dei migliori SSD che produce, in particolare quelli destinate ai sistemi di fascia bassa.

V-NAND a 290 strati oggi e a 430 strati nella seconda metà del 2025: i piani di Samsung sono certamente ambiziosi

Una caratteristica distintiva della V-NAND di nona generazione di Samsung con 290 strati attivi è la tecnica di produzione mediante sovrapposizione di stringhe. Questo processo prevede la costruzione di uno strato CMOS con logica, seguito da un array di memoria 3D NAND di 145 strati, sopra il quale viene sovrapposto un altro array 3D NAND di 145 strati. Nonostante la complessità, questa tecnica è vista come un mezzo per aumentare le rese per i prodotti di memoria 3D NAND con centinaia di strati, poiché costruire due array 3D NAND di 145 strati risulta più semplice che realizzarne uno unico di 290 strati.

L'incremento del numero di strati dovrebbe permettere a Samsung di aumentare la densità areale di registrazione dei suoi dispositivi 3D NAND. Si tratta di un obiettivo importantissimo per tutti i produttori di memoria NAND,  sia perché la domanda è in crescita, sia perché aumentare gli strati migliora l'efficienza produttiva. 

Guardando al futuro, Samsung prevede di rilasciare una V-NAND di decima generazione con 430 strati nella seconda metà del 2025. Se così fosse, potremmo aspettarci SSD estremamente capienti verso la fine del prossimo anno, con capacità ben superiori a quelle attuali, dove non si va oltre gli 8TB.

Fonte dell'articolo: www.tomshardware.com

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