Samsung Electronics ha sviluppato la prima memoria DRAM LPDDR5 da 8 gigabit prodotta con un processo nella classe dei 10 nanometri (da 10 a 19 nanometri). La memoria LPDDR5 sarà usata in diversi ambiti, dai PC portatili agli smartphone, per segnare nuovi livelli di prestazioni e consumi.
La LPDDR5 da 8 Gb di Samsung ha un data rate fino a 6400 megabit al secondo (Mb/s), e quindi è circa 1,5 volte più veloce della DRAM mobile (LPDDR4X, 4266 Mb/s) usata negli smartphone di punta. Grazie a questo transfer rate, la nuova LPDDR5 può inviare 51,2 GB di dati al secondo, ovvero 14 video Full HD da 3,7 GB ciascuno.
La nuova memoria dell'azienda asiatica sarà disponibile in due "versioni" di bandwidth, 6400 Mb/s e 1,1 volt oppure 5500 Mb/s e 1,05 volt, andando a rispondere alle necessità dei dispositivi mobile futuri e del mondo automotive.
Le LPDDR5 sono figlie di diversi progressi compiuti da Samsung in fase di progettazione. L'azienda ha raddoppiato il numero di "banchi di memoria", ovvero suddivisioni all'interno della cella DRAM - passando da 8 a 16, inoltre ha ottimizzato il resto dell'architettura.
Non solo velocità ma anche bassi consumi, grazie a una memoria capace di ridurre la propria tensione in base alla velocità operativa del processore (AP, application processor) a cui è collegata, quando in modalità attiva. La nuova memoria è stata configurata per evitare la sovrascrittura di celle con valori "0" e c'è anche una nuova modalità "deep sleep" (sonno profondo) che taglia di circa la metà il consumo in idle rispetto all'attuale LPDDR4X. Tutto questo permette a Samsung di vantare una riduzione del consumo energetico fino al 30%.
Samsung al momento ha completato la fase di test funzionale e validazione di un prototipo di package di LPDDR5 da 8 GB, formato da otto chip LPDDR5 da 8 Gb, presso la sua linea produttiva di Pyeongtaek, in Corea del Sud, da dove partirà prossimamente (con tempistiche non chiarite) anche la produzione in volumi.