Samsung Electronics ha avviato la produzione di massa del suo primo SSD per il mercato consumer basato su memoria 3D NAND di tipo QLC (Quad Level Cell), ossia in grado di archiviare 4 bit d'informazione per cella. La nuova memoria permetterà all'azienda sudcoreana di mettere in vendita nel corso dell'anno diversi SSD SATA da 2,5 pollici con capacità di 1, 2 e 4 TB.
La memoria QLC usata da Samsung ha una densità di 1 terabit e garantisce prestazioni equivalenti alle soluzioni TLC (Triple Level Cell, 3 bit per cella). Non sarà usata solo per gli SSD, ma anche in altri settori: Samsung pensa di creare schede di memoria da 128 GB per smartphone, ad esempio.
"Solitamente quando il dato archiviato in una cella di memoria sale da 3 bit a 4 bit, la capacità del chip per unità di area dovrebbe crescere e la carica elettrica - usata per determinare l'informazione da un sensore - dovrebbe scendere fino al 50%, rendendo considerevolmente più difficile mantenere le prestazioni e la velocità desiderate", spiega Samsung in una nota stampa.
L'azienda afferma tuttavia di essere riuscita a mantenere le prestazioni degli SSD TLC usando "un controller a bit e la tecnologia TurboWrite, e allo stesso tempo aumentando la capacità dell'unità mediante l'uso di 32 chip, tutti basati su una V-NAND a 64 layer da 1 terabit di quarta generazione".
Gli SSD Samsung con memoria QLC di conseguenza promettono prestazioni in lettura sequenziale di 540 MB/s, prestazioni in scrittura sequenziale di 520 MB/s e 3 anni di garanzia. Dopo gli SSD SATA Samsung ha intenzione di portare sul mercato enterprise SSD M.2 NVMe basati su questa memoria e iniziare la produzione di massa della V-NAND a 4 bit di quinta generazione.
In attesa delle nuove unità basate su memoria QLC Samsung vende un ottimo SSD SATA, l'860 EVO, a prezzi concorrenziali.