Samsung ha aggiornato la gamma di SSD per datacenter con i modelli 860 DCT, 883 DCT, 983 DCT e 983 ZET, disponibili negli Stati Uniti dal 24 settembre. Le prime due serie sono dotate di interfaccia SATA 6 Gbps, la terza è in formato U.2 o M.2 22110 (PCIe 3.0 x4) e la quarta è invece nel formato a scheda HHHL (sempre PCIe 3.0 x4).
Le soluzioni 860 DCT e 883 DCT condividono il controller MJX e la memoria V-NAND, ma differiscono per alcuni particolari. I modelli 860 DCT sono disponibili in capacità di 960 GB, 1,92 TB e 3,84 TB, rispettivamente accompagnati da 1, 2 e 4 GB di memoria LPDDR4. Si tratta di soluzioni pensate per applicazioni in ambienti dove le letture sono preponderanti.
Samsung indica prestazioni sequenziali fino a 550 e 520 MB/s rispettivamente in lettura e scrittura. Assente la "power loss protection", ossia la capacità di stoccare rapidamente i dati nella cache sulla memoria V-NAND nel caso manchi improvvisamente l'energia. Presente invece la cifratura AES 256.
Per quanto riguarda la resistenza alle scritture si parla di 349 TBW per il 960 GB, 698 TBW per il modello da 1,92 TB e 1396 TBW per quello da 3,84 TB nel periodo di garanzia, pari a 5 anni.
La serie 883 DCT conta la presenza di due capacità in più, 240 e 480 GB (512 MB di LPDDR4), e figura la protezione da perdita di energia. Le prestazioni sono identiche ma cambia la resistenza alle scritture con il modello da 3,84 TB che arriva a 5466 TBW.
La serie 983 DCT in formato U.2 e M.2 si basa invece sempre su V-NAND di casa Samsung ma integra il controller Phoenix. Sono due le capacità, 960 GB e 1,92 TB, accompagnate da 1,5 e 3 GB di memoria LPDDR4. Si tratta di soluzioni pensate per l'analisi di big data in tempo reale e compiti simili.
Le prestazioni sequenziali dei modelli U.2 sono rispettivamente di 3000 MB/s in lettura e 1900 / 1050 MB/s (a seconda della capacità) in scrittura . I modelli M.2 invece promettono 3000 / 1400 MB/s (lettura / scrittura) e 3000 / 1100 MB/s a seconda della capacità. Presente in questo caso la protezione da assenza di energia, la cifratura AES 256 e TCG Opal. La resistenza tocca 1366 TBW e 2733 TBW rispettivamente per i modelli da 960 GB e 1,92 TB.
Gli SSD 983 ZET sono invece disponibili nelle capacità di 480 e 960 GB, integrano memoria Z-NAND (a bassa latenza, concorrenti delle soluzioni Intel Optane), hanno 1,5 GB di memoria LPDDR4 e prestazioni in lettura e scrittura sequenziale fino a 3400 / 3000 MB/s. Per il resto condividono le caratteristiche dei 983 DCT, ma hanno una resistenza in scrittura ben più alta, ben 17520 TBW per il 960 GB e 7440 TBW per il 480 GB. Secondo Samsung sono ideali per database NoQSL e carichi simili.
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