Samsung ha presentato la sesta generazione di memorie V-NAND che troveranno posto nei nuovi SSD dell’azienda. Per i nuovi chip è stata aumentata la densità e di conseguenza la capacità, sfruttando oltre 100 layer attivi, e grazie al nuovo design Samsung è riuscita a ridurre le latenze del 10% e il consumo energetico del 15% rispetto alla precedente generazione.
Il nuovo design, che prevede un massimo di 136 layer di celle CTF (Charge Trap Flash) ed un singolo stack, ha consentito alle nuove memorie da 256 Gbit di raggiungere latenze in scrittura inferiori ai 450 microsecondi e minori di 45 microsecondi in scrittura, del 10% più contenute quindi rispetto alla quinta generazione di V-NAND. I nuovi SSD inoltre useranno il nuovo controller contrassegnato da Samsung con il nome in codice S4LR030 / S94G4MW2.
Risulta interessante il fatto che i nuovi dispositivi a 136 layer da 256 Gb utilizzano 670 milioni di fori, a differenza della precedente generazione che ne utilizzava 930 milioni. Questo fa si che la produzione richieda meno fasi durante il processo e che quindi la realizzazione delle nuove memorie sia più semplice.
Samsung inoltre ha già spiegato che intende utilizzare la nuova architettura a 136 layer con un circuito ottimizzato per realizzare dispositivi V-NAND con oltre 300 layer sovrapponendo l’uno sull’altro tre stack e triplicando quindi la capacità di un singolo chip.
I primi dispositivi ad arrivare sul mercato con le nuove memorie a 136 layer 3D TLC saranno gli SSD Samsung da 250 GB. Successivamente l’azienda realizzerà delle V-NAND da 512 Gb a 136 layer che saranno utilizzate per altri dispositivi, tra cui anche soluzioni di archiviazione eUFS.