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Samsung verso i chip a 14 nanometri per smartphone

Samsung ha annunciato che completerà entro fine 2013 la costruzione di un nuovo impianto produttivo destinato alla realizzazione di wafer da 300 millimetri per transistor da 20 e da 14 nanometri. I prodotti oggi all'avanguardia rischiamo di essere superati in pochi mesi.

Samsung spera di completare entro la fine del prossimo anno una linea di produzione di wafer da 300 millimetri destinati alla produzione di chip da 20 e da 14 nanometri. L'azienda sud coreana, fornitore dei prodotti integrati negli iPhone e negli iPad di Apple, sta investendo per soddisfare la domanda sempre più alta di soluzioni mobile.

Samsung si prepara a fabbricare wafer da 300 millimetri per chip da 20 e da 14 nanometri

Presto l'avanzatissimo Ivy Bridge di Intel a 22 nanometri potrebbe quindi non essere più così all'avanguardia, perché i chip fabbricati da Samsung con processo produttivo a 20 e 14 nanometri sarebbero potenzialmente più veloci e più efficienti. Rischiano di diventare pezzi da museo anche gli Exynos da 32 nanometri della stessa Samsung e i Qualcomm Sanpdragon S4, che al momento si prospettano come il futuro tecnologico.

Naturalmente la concorrenza non starà a guardare: sappiamo già che Intel si sta preparando per il passaggio alla tecnologia produttiva a 14 nanometri già dal prossimo anno e che ha in progetto di scendere addirittura a 5 nanometri dopo il 2015, quindi si prospetta una battaglia accesa per stabilire chi sarà il primo farla in barba ai concorrenti.

I nuovo chip Samsung sulla carta sono più veloci ed efficienti di Ivy Bridge

Stando alle informazioni diffuse dalla società di ricerca Gartner, infatti, la crescita del mercato dei dispositivi mobile supera ormai di gran lunga quella dei PC e stima che la domanda per i chip destinati a smartphone e tablet raggiungerà un valore pari a 59 miliardi di dollari nel 2016, ossia più del doppio dei 23 miliardi di dollari generati lo scorso anno.

Il nuovo sito produttivo dovrebbe comportare un investimento di 1,9 miliardi di dollari. Il piano di investimento prevede inoltre la costruzione di un nuovo impianto in Cina per fare chip di memoria di tipo NAND flash, che gli analisti stimano costerà circa 4-5 miliardi di won (equivalenti a un valore compreso fra 3,4 e 4,2 miliardi di dollari).