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L'industria delle memorie DRAM sta assistendo a una potenziale rivoluzione che potrebbe ridefinire i parametri di efficienza energetica e delle prestazioni nei dispositivi futuri. Micron Technology, difatti, ha annunciato durante la conferenza con gli investitori e gli analisti finanziari di aver avviato la distribuzione di una serie di campioni delle sue prime memorie LPDDR5X prodotte con il rivoluzionario processo di fabbricazione 1γ (1-gamma), una tecnologia che segna l'ingresso definitivo dell'azienda nell'era della litografia EUV. Questo sviluppo non rappresenta solo un avanzamento tecnico, ma posiziona Micron come l'ultimo grande produttore di DRAM ad abbracciare questa sofisticata metodologia produttiva.
Il salto qualitativo promesso dalla nuova tecnologia si traduce in numeri impressionanti: una riduzione del 20% nei consumi energetici accompagnata da un miglioramento delle prestazioni del 15% rispetto alla precedente generazione 1β. Tuttavia, l'aspetto più rivoluzionario riguarda la densità dei bit, che registra un incremento del 30%, aprendo prospettive concrete per una significativa riduzione dei costi di produzione una volta raggiunti i livelli di resa ottimali.
Sanjay Mehrotra, amministratore delegato di Micron, ha espresso soddisfazione per i progressi raggiunti: "Stiamo facendo eccellenti progressi sul nostro nodo tecnologico DRAM 1γ, con rese che stanno crescendo a un ritmo superiore al record che avevamo stabilito con il nodo 1β. Abbiamo completato diverse tappe fondamentali durante il trimestre, incluse le prime spedizioni di campioni di qualificazione delle DRAM LP5 basate su 1γ."
Contrariamente a quanto si potrebbe pensare, le memorie LPDDR5X non rappresentano il debutto assoluto della tecnologia 1γ nel portfolio Micron. L'azienda aveva già introdotto all'inizio dell'anno i circuiti integrati DDR5-9200 da 16Gb, che promettevano prestazioni superiori e consumi ridotti rispetto ai predecessori. Tuttavia, durante la recente conferenza, non sono stati forniti aggiornamenti sui progressi della distribuzione di campioni di questi dispositivi.
La visione strategica di Micron prevede un'adozione graduale ma completa della tecnologia 1γ attraverso l'intero spettro di prodotti memoria. Questo include le DDR5, LPDDR5X (ora certificate fino a 10,7 GT/s), GDDR7 e i prodotti orientati ai data center. Come sottolineato da Mehrotra: "Sfrutteremo la tecnologia 1γ attraverso l'intero portfolio di prodotti DRAM per beneficiare di questa tecnologia all'avanguardia."
L'implementazione della litografia EUV rappresenta un punto di svolta nell'approccio produttivo di Micron. Sebbene l'azienda non abbia rivelato il numero preciso di strati che utilizzano questa tecnologia, è probabile che sia riservata ai livelli più complessi che altrimenti richiederebbero processi di multi-patterning dispendiosi in termini di tempo.
Il processo di fabbricazione 1γ non si limita alla sola litografia EUV, ma integra anche il tradizionale multi-patterning a ultravioletti profondi (DUV). Inoltre, introduce un gate metallico high-k aggiornato e una circuiteria di back-end of line (BEOL) riprogettata, creando un ecosistema tecnologico completo che massimizza le prestazioni dei dispositivi finali.
Attualmente, Micron sta producendo DRAM 1γ in Giappone, dove il primo strumento EUV è entrato in funzione nel 2024. I piani di espansione prevedono un incremento della capacità EUV sia in Giappone che a Taiwan, strategia che riflette l'impegno dell'azienda nel consolidare la propria posizione competitiva nel mercato globale delle memorie.
La sesta generazione del nodo produttivo classe 10nm rappresenta un traguardo significativo per Micron, che si posiziona come l'ultimo grande produttore di DRAM ad adottare la litografia EUV. Questa tecnologia, pur arrivando dopo la concorrenza, potrebbe offrire vantaggi derivanti dall'esperienza accumulata dai predecessori e dall'ottimizzazione dei processi produttivi.
L'impatto di queste innovazioni si estenderà oltre i confini della semplice produzione di memorie, influenzando settori che spaziano dai dispositivi mobili ai sistemi di calcolo ad alte prestazioni. La combinazione di maggiore efficienza energetica, prestazioni migliorate e densità superiore potrebbe accelerare lo sviluppo di applicazioni che richiedono capacità di elaborazione intensive mantenendo al contempo profili energetici sostenibili.