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Nel mondo dei semiconduttori, la corsa alla supremazia tecnologica si combatte a colpi di innovazione e prestazioni sempre più elevate. SK Hynix ha recentemente dimostrato di essere all'avanguardia nel settore delle memorie ad alte prestazioni, presentando la sua rivoluzionaria tecnologia HBM4 durante il TSMC North America Technology Symposium. L'azienda coreana ha sorpreso gli esperti del settore mostrando non solo prototipi concettuali, ma versioni commerciali già pronte per la produzione, distanziando nettamente concorrenti storici come Samsung e Micron che sono ancora nelle fasi di campionatura.
La tecnologia HBM4 presentata da SK Hynix rappresenta un salto generazionale significativo per le architetture di calcolo avanzate. Con una capacità che raggiunge i 48 GB per stack, una larghezza di banda impressionante di 2,0 TB/s e una velocità I/O di 8,0 Gbps, questi moduli di memoria promettono di diventare il cuore pulsante della prossima generazione di acceleratori per intelligenza artificiale.
Particolarmente degna di nota è la capacità dell'azienda coreana di impilare fino a 16 strati di memoria in un singolo package, un'innovazione resa possibile grazie all'implementazione di tecnologie proprietarie come Advanced MR-MUF e interconnessioni TSV (Through-Silicon Via) avanzate. Questo approccio pionieristico consente di aumentare drasticamente la densità di memoria mantenendo dimensioni fisiche contenute.
La roadmap presentata da SK Hynix prevede l'inizio della produzione di massa nella seconda metà del 2025, con possibilità di integrazione nei primi prodotti commerciali già entro la fine dello stesso anno. Una tempistica che conferma l'ampio vantaggio dell'azienda rispetto ai concorrenti.
Oltre all'HBM4, l'azienda ha presentato anche la sua implementazione dell'HBM3E a 16 strati, la prima nel suo genere con una larghezza di banda di 1,2 TB/s. Questa tecnologia sarà integrata nei cluster AI "Blackwell Ultra" GB300 di NVIDIA, evidenziando la partnership strategica tra le due aziende nel settore dell'intelligenza artificiale.
È interessante notare come NVIDIA stia già pianificando la transizione verso l'HBM4 con la sua futura architettura "Vera Rubin", confermando l'importanza di queste tecnologie di memoria avanzate per lo sviluppo dei sistemi di calcolo più potenti al mondo.
Innovazione anche nei moduli server tradizionali
Il portfolio di innovazioni presentate da SK Hynix non si limita alle memorie HBM. L'azienda ha infatti mostrato una gamma completa di moduli di memoria per server, in particolare soluzioni RDIMM e MRDIMM basate sul nuovo standard DRAM 1c. Questa evoluzione ha permesso di raggiungere velocità fino a 12.500 MB/s, un valore straordinario che apre nuove possibilità per i data center.
La gamma di moduli MRDIMM presentata include versioni con velocità di 12,8 Gbps e capacità variabili: 64 GB, 96 GB e 256 GB. I moduli RDIMM, con velocità di 8 Gbps, sono disponibili in configurazioni da 64 GB e 96 GB, mentre il modulo 3DS RDIMM raggiunge una capacità impressionante di 256 GB.
Queste soluzioni sono state specificamente progettate per migliorare le prestazioni dell'intelligenza artificiale e dei data center, riducendo contemporaneamente il consumo energetico, un aspetto sempre più critico considerando i crescenti costi operativi delle infrastrutture IT di grandi dimensioni.