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SSD fino a 16 terabyte con la NAND Flash a 16 die di Toshiba

Toshiba ha sviluppato la prima NAND Flash con 16 die usando la Through Silicon Via. Potenzialmente si potrebbero creare SSD da 16 TB per il settore enterprise.

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Avatar di Manolo De Agostini

a cura di Manolo De Agostini

Pubblicato il 07/08/2015 alle 08:42

La giapponese Toshiba ha annunciato di aver realizzato la prima memoria NAND Flash composta da 16 die impilati l'uno sull'altro usando la tecnologia Through Silicon Via (TSV), una tecnica d'interconnessione che permette di collegare più die in verticale, creando i cosiddetti chip "3D".

L'azienda mostrerà un prototipo al Flash Memory Summit 2015 che si terrà tra l'11 e il 13 agosto a Santa Clara, negli Stati Uniti. Al momento è ignota la disponibilità commerciale.

toshiba 16 tsv nand

"In precedenza", spiega Toshiba, "le memorie NAND Flash impilate erano connesse tramite wire bonding in un package. La tecnologia TSV usa invece elettrodi verticali e collegamenti che passano attraverso i die in silicio per la connessione. Questo favorisce elevate velocità di input e output dei dati e riduce i consumi di energia".

La tecnologia TSV di Toshiba, a detta dell'azienda stessa, raggiunge un data rate di I/O superiore a 1 Gbps, "che è superiore a qualsiasi altra memoria NAND Flash con una tensione di alimentazione ridotta: 1,8 V per i circuiti principali e 1,2 V per i circuiti di I/O e una riduzione di circa il 50% nei consumi con operazioni di scrittura, lettura e trasferimenti dati ".

Package NAND dual x8 BGA-152 NAND dual x8 BGA-152
GB 128 256
die stacked 8 16
Larghezza (mm) 14 14
Profondità 18 18
Altezza 1.35 1.90
Interfaccia toggle DDR toggle DDR

La nuova memoria NAND Flash a 16 die offre 256 GB di capacità per chip. Come riportato dal sito KitGuru, con questi chip di memoria si potrebbero (potenzialmente) creare SSD con 16 TB di capacità in un form factor da 3,5 pollici.

toshiba 16 tsv

Esistono infatti prodotti come l'Optimus Max da 4 TB di SanDisk che sono costituiti da 64 chip di memoria da 64 GB (disposti su più circuiti stampati). Se a quei chip fossero sostituite le soluzioni da 256 GB di Toshiba, allora si potrebbe avere una capacità quattro volte maggiore. Chiaramente ciò richiederebbe diversi accorgimenti, non ultimo un nuovo controller capace di gestire al meglio così tanta memoria.

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