I piani di Intel per il 2010 nel settore degli SSD sono ben delineati. L'azienda ha intenzione di usare memoria NAND flash prodotta con processo produttivo a 2x nanometri.
Inferiore ai 34 nanometri impiegati attualmente, i 2x nm (non è chiaro, precisamente, il tipo di processo) permetterebbero un'ulteriore riduzione dei consumi, costi inferiori e passi avanti nella capacità . Aspettiamo sul mercato, quindi, soluzioni fino a 320 GB con prezzi più abbordabili rispetto ad oggi.
Intel ha inoltre in programma un aumento della velocità in scrittura sequenziale, ma non adotterà l'interfaccia SATA III (6 Gbps), perché l'azienda non avrà controller in grado di supportare l'interfaccia fino al 2011.