SSD veloci come le RAM? Si, grazie alla memoria UltraRAM

I ricercatori della Lancaster University hanno creato la memoria UltraRAM, che unisce la non volatilità della NVRAM alla velocità della DRAM.

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a cura di Francesco Palermo

Un recente studio effettuato dai ricercatori della Lancaster University nel Regno Unito ha portato all’invenzione di una nuova memoria chiamata UltraRAM, che promette di unire la velocità delle RAM alla non volatilità della NVRAM.

Stiamo parlando di una nuova struttura per le celle di memoria, che verrà implementata in quella che viene chiamata "memoria universale". Il vantaggio? Immaginate di unire tutti i vantaggi di una memoria flash con quelli di una memoria DRAM. La memoria flash come sappiamo non è volatile, per cui riesce a mantenere i dati a lungo con un consumo anche abbastanza ridotto. D'altra parte, le memorie DRAM sono molto più veloci rispetto a una memoria flash, ma essendo delle memorie volatili dimenticano i dati immagazzinati.

Se realmente le memorie UltraRAM riusciranno a fornire miglioramenti rispetto a quelli che sono gli attuali moduli DRAM, potrebbe essere solo una questione di tempo prima che i prezzi attuali subiranno una riduzione. Ad oggi non abbiamo ancora visto una tecnologia di memoria che combina la capacità di archiviazione con velocità paragonabili alle RAM. Anche se esistono alcuni "candidati" come le memorie NRAM, STT-MRAM e ReRAM, non sembrano essere all’altezza delle UltraRAM.

I ricercatori della Lancaster University hanno dimostrato il funzionamento di questa nuova tecnologia, che si basa su un principio della meccanica quantistica. Questo principio è detto “resonant tunnelling” (tunnelling risonante) e consente a una barriera di passare da opaca a trasparente quando le viene applicata una piccola tensione.

Il grande vantaggio è che questo processo consuma pochissima energia a fronte di una migliore efficienza. Inoltre la “non volatilità” delle memorie UltraRAM proviene da quello che viene chiamato offset di banda, formato da arsenuro di indio e antimonide di alluminio, che forniscono una grande barriera energetica (2.1 eV) che impedisce la fuga degli elettroni.

La rapida transizione dall'opacità alla trasparenza della barriera risonante garantirà delle soluzioni estremamente compatte con elevate densità di bit. Per ora si tratta “soltanto” di una ricerca da laboratorio, ma forse la vedremo in un futuro non troppo lontano e implementata in chip di memoria funzionanti.