Samsung ha dominato la classe degli SSD da 128 GB per molto tempo. I Samsung 850 EVO e 850 Pro sono sul mercato dal luglio 2014 e le altre aziende non sono ancora riuscite a raggiungerne le prestazioni. La verità è che non lo faranno mai.
La maggior parte delle aziende non può produrre un buon SSD con una simile capacità perché le fabbriche che producono NAND Flash non realizzano più die a bassa capacità. Il desiderio di aumentare la capacità degli SSD (e ridurre i prezzi) ha spinto la densità del die a 256, 384 e 512 Gbit. Questi die più densi portano a un minore parallelismo, che impatta sulle prestazioni. Con un die a 512 Gbit, sono necessari solo due die per creare un SSD da 128 GB. E die ancora più densi sono in arrivo.
Samsung ha tre serie di SSD nella classe dei 128 GB: il nuovo 850 da 120 GB oggetto di questa prova, l'850 EVO da 120 GB e il 750 EVO da 120 GB. Samsung ha ritirato l'850 Pro da 128 GB diverso tempo fa. Per questo nei nostri confronti abbiamo inserito solo l'850 EVO e il 750 EVO.
Adata ci ha consegnato un SSD da 128 GB quando ci ha inviato la serie SU800 nel dicembre 2016. È formato da die NAND 3D TLC Micron a 384 Gbit con un controller SMI SM2258. Abbiamo aggiunto al confronto anche un Colorful SL300 (120 GB), un Samsung 750 EVO (120 GB), un Samsung 850 EVO (120 GB), un SanDisk Z410 (120 GB) e un OCZ TL100 (120 GB).
Letture sequenziali
La NAND più veloce può inserirsi nel gap lasciato aperto dal ridotto parallelismo dei die ad alta capacità. Il grafico delle prestazioni in lettura sequenziale mostra prestazioni costanti salendo con le queue depth. Il Samsung 850 s'inserisce tra l'850 e il 750 EVO da 120 GB a QD2.
Scritture sequenziali
Tutti i prodotti nel nostro test usano NAND TLC 3 bit per cella. Il parallelismo minore, combinato con la NAND TLC, porta una grande variazione a causa della dipendenza dal caching SLC. Abbiamo poi a che fare con la velocità nativamente ridotta della memoria TLC dopo la saturazione del buffer SLC. Gli SSD V-NAND di Samsung, storicamente, sono meno suscettibili a importanti perdite prestazionali legate a questi problemi, ma il modello da 120 GB segue il trend.
L'850 da 120 GB soffre perché ha un buffer SLC più piccolo rispetto ai modelli di capacità maggiore. Scrivere dati sequenziali da 128 KB nel buffer SLC programmato, che è circa 3 GB, garantisce un throughput di 475 MB/s. Quel dato cala rapidamente a poco più di 160 MB/s una volta che si satura il buffer e il traffico finisce direttamente sulla NAND TLC. Aumentare la queue depth non fa salire le prestazioni, aggiunge solo latenza.
Letture casuali
Samsung è riuscita a mantenere le prestazioni in lettura casuale a QD1 dell'850 sopra 10.000 IOPS, con un buono scaling in base al carico. Nessun'altra azienda raggiunge un intervallo di 10.000 IOPS con gli SSD SATA da 128 GB, e la maggior parte ha avuto difficoltà a raggiungere questi risultati con gli SSD NVMe più recenti nella classe dei 128 GB. Questo rende difficile consigliare un SSD concorrente con tale capacità.
Scritture casuali
La cache SLC di Samsung offre anch'essa prestazioni in scrittura casuale più alte. I tre prodotti Samsung da 120 GB con TLC si posizionano ben al di sopra dei modelli concorrenti. L'850 e l'850 EVO forniscono prestazioni quasi identiche con queue depth ridotte.
Carico misto sequenziale all'80%
Gli SSD SATA di Samsung dominano le vendite da anni e superano la concorrenza dove serve.
Carico misto casuale all'80%
Le prestazioni a basse QD dell'850 rispecchiano quelle del vecchio ma ancora dominante 850 EVO. I carichi casuali misti 4KB vi dicono tutto ciò che dovete sapere sull'esperienza utente. Queste prestazioni dovrebbe traghettarsi all'esperienza reale con i software.
Stato di equilibrio sequenziale
Questi prodotti a basso costo non sono stati progettati per l'uso in workstation e in un ambiente con tante scritture. La V-NAND TLC di Samsung supera ampiamente la concorrenza.
Stato di equilibrio casuale
L'850 con la nuova V-NAND 64 layer è meno costante della vecchia TLC di Samsung, ma garantisce le stesse prestazioni medie e picchi più alti. Possiamo attribuire queste maggiori prestazioni di picco al transfer rate maggiore del die.
Prestazioni software reale, PCMark 8
Il nuovo 850 si allinea all'850 EVO e al 750 EVO, mantenendo un vantaggio sulla concorrenza. L'850 supera gli altri SSD Samsung in alcuni test e insegue leggermente in altri.
Bandwidth archiviazione
Possiamo osservare chiaramente due livelli prestazionali distinti quando presentiamo i risultati sotto forma di throughput medio. Gli SSD Samsung hanno un vantaggio di 100 MB/s rispetto agli altri prodotti. L'850 è il più lento dei tre SSD Samsung, ma la differenza è così piccola che non vedrete differenze durante l'uso normale.
Prestazioni carico avanzato, PCMark 8
Ultimamente è sempre più facile riempire le unità di avvio. Sistemi operativi, software e giochi hanno visto crescere di molte le loro dimensioni. Bastano uno o due giochi per riempire un piccolo SSD. Questo test riempie le unità per mostrarci le prestazioni con l'SSD pieno.
Non sorprende vedere i tre SSD Samsung superare il resto del gruppo. L'850 insegue l'850 EVO nella sezione di ripristino del test. Non c'è una grande differenza tra i tre SSD Samsung durante la sezione pesante del test, ma l'850 è al top.
Tempo di servizio totale
I tre SSD Samsung offrono alte prestazioni nei test sul tempo di servizio. Possiamo vedere inoltre la differenza tra 850 e 850 EVO con V-NAND 3D e il 750 EVO con NAND planare 2D.
Tempo di occupazione
L'ultima NAND flash di Samsung è molto più veloce rispetto alla V-NAND 48 layer di precedente generazione. Ha persino un vantaggio maggiore rispetto alla V-NAND 32 layer dell'850 EVO.
Test di reattività
Gli SSD Samsung sono le uniche unità SATA a superare il rating 1000 nel test di reattività di BAPCo SYSmark 2014 SE. Per stabilire il punteggio base è stata usata un'unità OEM di Samsung. Le soluzioni dell'azienda asiatica rimangono al top, ma il tutto è molto più impressionante se considerate che molti SSD NVMe entry-level non raggiungono quelle prestazioni.
Autonomia notebook
La nuova NAND a 64-layer è sufficiente per spingere l'850 sopra il 750 EVO e l'850 EVO nella nostra classifica sull'autonomia su notebook. La nuova NAND richiede 2,5V e secondo Samsung ciò permette un miglioramento dell'efficienza energetica del 30% rispetto alla V-NAND a 48 layer, che necessita di 3,3V.
L'interfaccia più veloce del die permette anche a garbage collection e altre attività in background di completarsi più rapidamente. Queste attività sono killer per la batteria e possono richiedere quanta più energia possibile nell'esecuzione di un carico in scrittura casuale per un periodo prolungato.