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Test SSD Drevo Ares da 256 GB

Pagina 1: Test SSD Drevo Ares da 256 GB
SSD Drevo Ares da 256 GB alla prova. Cosa si nasconde sotto il dissipatore di questo SSD PCI Express?

Drevo Ares 256 GB

 

Drevo è un'azienda "giovane" che si è fatta strada nel mercato SSD proponendo SSD dal prezzo contenuto.

 Drevo Ares 256 GB


Se avete cercato un SSD su Amazon vi sarete imbattuti nelle proposte di un'azienda chiamata Drevo. Ci sono diverse proposte sul mercato e in questo articolo diamo un'occhiata al Drevo Ares, il suo primo SSD NVMe PCI Express, disponibile solo nella capacità da 256 GB.

Il cuore dell'SSD è un controller dual-core SM2260 di Silicon Motion, accoppiato a memoria Intel Micron Flash Technology (IMFT) 3D MLC NAND a 256 Gbit. Combinazioni del genere non sempre si sono dimostrate vincenti, tuttavia lasciamo che siano i test a parlare.

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La stessa Micron, con il marchio Ballistix, aveva intenzione di portare sul mercato un SSD M.2 2280 con gli stessi componenti dell'Ares, il TX3, ma ha scelto di cancellare il prodotto a due settimane dal debutto ufficiale. Intel, con gli SSD 600p dotati di memoria 3D TLC a 384 Gbit, ha deciso di rivolgersi alla fascia bassa del mercato.

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Il Drevo Ares è venduto a un prezzo decisamente maggiore al 600p da 256 GB, almeno in Italia. Le prestazioni sono simili, anche se l'Ares ha memoria MLC anziché TLC. La spesa maggiore assicura una resistenza più alta (350 contro 144 TBW), un heatsink di bell'aspetto e alcuni LED blu per illuminare l'interno del vostro PC.

Drevo ha inoltre inserito un selettore a tre modalità nella parte posteriore, pensato per cambiare il profilo energetico e prestazionale, ma suggeriamo di lasciarlo nella modalità a "massime prestazioni", che permette all'Ares di offrire letture e scritture sequenziali fino a 1400 MB/s e 600 MB/s. Il valore delle letture sequenziali è molto conservativo, ci saremmo aspettati 1900 MB/s.

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L'Ares riesce a sfruttare la memoria NAND flash solo per 100.000 IOPS in lettura casuale. È un dato simile agli SSD SATA ad alte prestazioni come il Samsung 850 Pro. Il sistema di caching consente ai dati casuali di scrivere "fino a" 150.000 IOPS per una frazione di secondo, fino al riempimento della memoria SLC.

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L'SM2260 non usa un metodo di scrittura direct-to-die quando il buffer SLC si riempie di dati. Tutti i dati scritti devono invece passare prima da un buffer SLC ad alta velocità e poi alla TLC a bassa velocità come dato sequenziale. Questo accresce la resistenza della memoria NAND, ma rallenta le prestazioni di trasferimento dei dati.

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Un gran numero di dati nel test sulle scritture sequenziali evidenzia prestazioni variabili passando tra i due stati della memoria flash. È per questo motivo che il controller è una scelta sbagliata laddove sono scritti molti dati.