Nella giornata di oggi, Samsung ha annunciato di aver avviato la produzione della prima memoria eUFS 2.1 da 1 Terabyte per i dispositivi mobili. Con questo annuncio, l’azienda sudcoreana conferma indirettamente le indiscrezioni che vedono la presenza di un tale quantitativo di memoria all’interno di uno dei prossimi Galaxy S10.
Con l’introduzione del nuovo chip, le prossime generazioni di smartphone avranno una capacità di storage paragonabili a quella di alcuni notebook premium, senza dover utilizzare le attuali schede di memoria microSD. Le dimensioni del nuovo modulo sono identiche al predecessore da 512 GB e combina 16 strati di memoria flash V-NAND. Ciò che cambia è, appunto, lo spazio a disposizione.
In un mercato in cui i produttori migliorano non solo le fotocamere ma anche la tecnologia di acquisizione dei contenuti, un maggiore spazio di archiviazione diventa necessario. Secondo Samsung, gli utenti potranno archiviare fino a 260 video da 10 minuti in risoluzione 4K contro i 13 immagazzinabili in una memoria da 64GB.
Inoltre, la nuova eUSF ha il doppio della velocità di lettura sequenziale rispetto a un’unità SSD SATA. Aumenta del 38% anche la velocità di lettura causale con un incremento fino a 58.000 di operazioni input/output per secondo (IOPS). Mentre la velocità di scrittura causale arriva fino a 50.000 IOPS.
Samsung, dunque, si è già messa a lavoro per soddisfare la futura e prevista domanda del modulo da 1TB da parte dei produttori di dispositivi mobili in tutto il mondo. Nell’attesa, probabilmente potremo avere un primo assaggio durante la presentazione dei prossimi Galaxy S10 che si svolgerà il prossimo 20 Febbraio.
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