Le memorie DDR3 si affacciano agli onori delle cronache perchè ormai prossime al debutto. I primi modelli saranno presentati entro l'anno e come presumibile incominceranno a ottenere una distribuzione su larga scala solo dopo un anno dalla loro introduzione. Secondo quanto trapelato in casa Samsung, ci saranno più "tagli", caratterizzati non solo da frequenze operative differenti ma anche da CAS latency (CL, latenze) più o meno rilassati.
Il termine rilassati non è scritto per puro stile, infatti se per le memorie DDR3 800 i timing saranno pari a 5-5-5 (alcuni produttori raggiungeranno anche i 6-6-6), le memorie DDR3 1066 figureranno un CAS latency 7 con timing 7-7-7. Di pari passo anche le memorie a 1333 MHz vedranno un CL pari a 8 mentre le memorie con frequenza a 1600 MHz raggiugeranno addirittura il CAS latency 9.
Le latenze saranno quindi incredibilmente altre, ma c'era da aspettarserlo dopo aver maturato la medesima esperienza con i primi moduli di DDR2. Il risvolto positivo delle nuove memorie, almeno inizialmente, riguarderà la tensione operativa di 1.5 volt contro gli 1.8 volt delle DDR2. Confidiamo che specialisti del settore quali Corsair, GeIL e OCZ possano raggiungere timing maggiormente ridotti.
