Un team dell'EPFL (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne) sta lavorando alacremente sulle proprietà semiconduttive del bisolfuro di molibdeno monostrato, e ha già costruito un prototipo di sensore cinque volte più sensibile alla luce rispetto agli attuali CMOS.
Rappresentazione di un FET (transistor ad effetto di campo, parente stretto dei più noti MOS anch'essi basati sul principio dell'effetto di campo) che sfrutta il bisolfuro di molibdeno MoS2 - una "o" minuscola" fa la differenza.
Tutto merito del (bi)solfuro di molibdeno (MoS2), un materiale attualmente noto soprattutto per le sue proprietà di ... lubrificante a secco. Molti materiali plastici per l'ingegneria, se necessitano bassi coefficienti d'attrito, vengono in effetti addizionati di MoS2.
Ma quando questo materiale viene ridotto a un singolo strato atomico, ecco emergere interessanti proprietà elettriche: il MoS2 si svela essere un semiconduttore "direct bandgap", il che tecnicamente significa che il momento delle coppie elettrone-lacuna è lo stesso nella banda di valenza e in quella di conduzione, mentre all'atto pratico significa che è molto efficace nell'assorbire luce incidente generando coppie elettrone-lacuna.
Sappiamo tutti cosa questo possa significare applicato alla fotografia: sensori 5 volte più sensibili consentirebbero di scattare a mano libera praticamente in qualsiasi condizione di luce e con qualsiasi focale (significherebbe, ad esempio, poter scattare a 6400 ISO meglio di quanto si scatti ora a 1600). Il molibdeno, e di conseguenza il bisolfuro è u materiale relativamente abbondante ed economico, il che rende ovviamente ancora più promettente la ricerca.