Durante l'evento annuale Foundry Forum, Samsung ci aggiornato sul lavoro delle sue industrie. La società sudcoreana ha intenzione di avviare la produzione chip a 3nm nel corso della prima metà del 2022, mentre i chip a 3nm di seconda generazione dovrebbe essere in arrivo per il 2023. Insomma, Samsung sembra voler restare al passo degli ambiziosi piani produttivi di TSMC.
I prossimi nodi di processo di Samsung sfrutteranno la tecnologia GAA sviluppata dall'azienda e il Multi-Bridge-Channel FET. Il primo processo di produzione a utilizzare queste nuove tecnologie sarà proprio il nodo di prima generazione a 3nm di Samsung. Gli ingegneri si aspettano una riduzione del 35% delle dimensioni, un aumento delle prestazione intorno al 30% e circa il 50% in meno di consumi rispetto al nodo a 5nm. Al momento la resa logica del nodo a 3 nm sembra vicina al nodo a 4 nm dell'azienda, che è prodotto già attivamente.
L'uscita dei nuovi processori a 3nm è fissata per la prima metà del 2022. Il nodo di processo a 3nm di prima generazione sarà presto seguito da una seconda generazione, che dovrebbe uscire nel 2023 e avvalersi del superamento della carenza di semiconduttori globale. Samsung spera di iniziare la produzione di massa di chip a 2nm per il 2025.
Durante il keynote Siyoung Choi, presidente e general manager delle linee produttive di Samsung Electronics, ha anche assicurato che l'azienda continuerà ad investire nella sua tecnologia di processo FinFET. Anche se il suo nodo di processo a 14nm FinFET è già vecchio di qualche anno, Samsung lo starebbe ulteriormente migliorando, aggiungendo il supporto per il voltaggio 3.3V o flash-type embedded MRAM. Secondo KitGuru, Samsung starebbe investendo nel perfezionamento di tecnologie già note e "vecchie" per limitare i danni della carenza di semiconduttori.
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